电力电子器件概述(ppt78页).pptxVIP

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2021-05-28 发布于河北
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电力电子器件概述(ppt78页).pptx

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;第四讲电力电子器件（三）;3.0 概述;3.1 门极可关断晶闸管;3.1.1 概述;3.1.2 GTO的结构和工作原理;3.1.2 GTO的结构和工作原理;3.1.2 GTO的结构和工作原理;导通过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 ;3.1.3 GTO的动态特性;3.1.3 GTO的动态特性;3.1.4 GTO的主要参数;3.1.4 GTO的主要参数;3.2 电力晶体管;3.2.1 概述;3.2.2 GTR的结构和工作原理;3.2.2 GTR的结构和工作原理;3.2.2 GTR的结构和工作原理;3.2.2 GTR的结构和工作原理;3.2.3 GTR的基本特性;3.2.3 GTR的基本特性;3.2.3 GTR的基本特性;3.2.3 GTR的基本特性;3.2.4 GTR的主要参数;3.2.4 GTR的主要参数;3.2.4 GTR的主要参数;3.2.4 GTR的主要参数;3.2.5 GTR的二次击穿现象与安全工作区;3.2.5 GTR的二次击穿现象与安全工作区;3.3 电力场效应晶体管;3.3.1 概述;3.3.1 概述;3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.3 电力MOSFET的基本特性;3.3.4 电力MOSFET的主要参数;3.3.4 电力MOSFET的主要参数;3.3.4 电力MOSFET的主要参数;3.4 绝缘栅双极晶体管;3.4.1 概述;3.4.1 概述;3.4.2 IGBT的结构和工作原理;3.4.2 IGBT的结构和工作原理;3.4.2 IGBT的结构和工作原理;3.4.3 IGBT的基本特性;3.4.3 IGBT的基本特性;3.4.3 IGBT的基本特性;3.4.3 IGBT的基本特性;3.4.3 IGBT的基本特性;3.4.3 IGBT的基本特性;3.4.4 IGBT的主要参数;3.4.4 IGBT的主要参数;3.4.5 IGBT的擎住效应和安全工作区;3.4.5 IGBT的擎住效应和安全工作区;3.4.5 IGBT的擎住效应和安全工作区;图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号;图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形;图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动;图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性;图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形;图1-18 GTR的安全工作区;图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号;图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性;图1-21 电力MOSFET的开关过程;图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号;图1-23 IGBT的转移特性和输出特性;图1-24 IGBT的开关过程;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。5月-215月-21Friday, May 21, 2021 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。17:57:5017:57:5017:575/21/2021 5:57:50 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。5月-2117:57:5017:57May-2121-May-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。17:57:5017:57:5017:57Friday, May 21, 2021 13、志不立，天下无可成之事。5月-2