第二章____集成电路制造工艺_.pptx

教学目的和要求： 1、了解集成电路制造的过程和典型工艺流程。 2、了解集成电路制造过程中的关键技术及概念。 3、理解集成电路设计规则及其意义，初步认识集成电路工艺水平对集成电路发展的影响。 ; 第一节 概述;第二节 集成电路的生产过程 ;;;掩膜版;;二、平面工艺技术框图;;;;;二、典型双极工艺制造过程 （以PN结隔离技术）;2．工艺流程;（2）生长外延层（图2.4B）;（3）形成隔离岛（图2.4C）;（4）形成基区（图2.4D）;(5)形成发射区，集电区(图2.4E) ;（6）金属化(图2.4F );三、小结：;第三节 集成电路制造工艺的关键技术 ;1、光刻： 概念：是指通过类似于洗印照片的原理，通过暴光和选择腐蚀等工序，将掩膜版上设计好的图形转移到硅片表面涂敷的感光胶上的过程。 光刻包括：光刻胶、掩膜板、光刻机三要素 光刻技术决定着集成电路特征尺寸和时延 。;分类 （1）光刻常见的方法 ①接触式; ②接近式; ③投影式. （2）超细线光刻技术 （短波长的射线进行光刻） ①甚远紫外线光刻; ②电子束光刻; ③ X射线光刻; ④离子束光刻.;2、刻蚀技术;二、薄膜制备技术;1、氧化: (1) 概念: 主要是指在硅表面生长二氧化硅 (SiO2）膜。 (2) 作用： ①在MOS集成电路中，SiO2层作为MOS器件的绝缘栅介质，到深亚微术或亚0.1μm工艺后，用氮氧化硅膜替代（是因为随特征尺寸缩小，膜厚减小，氮氧化硅绝缘性能更好）。 ;②在扩散硼、磷、砷等杂质时用作掩蔽膜。 ③作为集成电路的隔离介质材料。 ④作为电容器的绝缘介质的材料。 ⑤作为多层金属互连层之间的介质材料。 ⑥ 作为对器件和电路进行钝化层材料。;（1）概念：指通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。VCD的结构可以是单晶、多晶或非晶态。 （2）作用：生长外延层，淀积隔离膜，导电线等。;3、物理汽相淀积 （1）概念：用物理的方法，如蒸发、溅射等技术，在半导体表面淀积薄膜的技术， (2)作用:主要用于实际集成电路互联的金属薄膜。;三、掺杂技术;1、扩散 概念：扩散是微观粒子热运动的统计结果，是指杂质从浓度高的地方向浓???低的地方运动的过程。 2、离子注入 概念：离子注入是将具有很高能量的带电杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术。;第四节 CMOS工艺流程与直流模型;2、P 阱 CMOS晶体管的工艺流程 （1）定义P 阱 （图2.7(a)）;（2）确定有源区;（3）确定多晶硅栅 ;（4）PMOS管源漏区形成;（5）NMOS管源漏区形成 ;（6）引线孔;（7）铝引线形成;二、MOS晶体管的直流模型;（2）低频MOS场效应晶体管模型;; 3μm, CMOS典型工艺参数;2、模型的意义 ;第五节 集成电路的设计规划; 3、内容：在考虑器件正常工作的条件下，根据实际工艺水平（包括光刻水平、刻蚀能力、对准容差等）和成品率的要求，给出一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。 4、设计规则表示方法 （1）以λ为单位的设计规则。 （2）以微米为单位的设计规则。 ;;;;;;;;;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。10月-2010月-20Sunday, October 11, 2020 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。01:37:3701:37:3701:3710/11/2020 1:37:37 AM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。10月-2001:37:3701:37Oct-2011-Oct-20 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。01:37:3701:37:3701:37Sunday, October 11, 2020 13、志不立，天下无可成之事。10月-2010月-2001:37:3701:37:37October 11, 2020 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower