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精品文档 S3C2440 对 Nand Flash 操作和电路原理 —— K9F2G08U0A S3C2440 内部集成了一个 Nand flash 控制器。 S3C2440 的 Nand flash 控制器包含了如下的特性： l 一个引导启动单元 l Nand Flash 存储器接口，支持 8 位或 16 位的每页大小为 256 字， 512 字节， 1K 字和 2K 字节的 Nand flash l 软件模式：用户可以直接访问 Nand Flash 存储器，此特性可以用于 Nand Flash 存储器的读、擦除和编程。 l S3C2440 支持 8/16 位的 Nand Flash 存储器接口总线 l 硬件 ECC 生成，检测和指示 (软件纠错 ) 。 l Steppingstone 接口，支持大 / 小端模式的按字节 /半字/字访问。 我用的开发板是天嵌的 TQ2440 ，板子用到的 Nand Flash 是 Samsung 公司的 K9F2G08U0A ，它是 8 位的 Nand flash 。 本文只介绍 Nand Flash 的电路原理和 Nand Flash 的读、写、擦除等基本操作，暂不涉及 Nand Flash 启动程序的问题。 Nand Flash 的电路连接如图 1 所示： 图 1 Nand Flash 电路原理 上图的左边为 K9F2G08U0A 与 2440 的连接图，原理方面就不多介绍，去看看 datasheet 估计就懂得了，右边的 部分是 S3C2440 的 Nand 控制器的配置。配置引脚 NCON ，GPG13 ，GPG14 和 GPG15 用来设置 Nand Flash 的基本 信息， Nand 控制器通过读取配置引脚的状态获取外接的 Nand Flash 的配置信息，图 2 是这四个配置引脚的定义： . 精品文档 图 2 Nand 控制配置引脚信息 由于 K9F2G08U0A 的总线宽度为 8 位，页大小为 2048 字节，需要 5 个寻址命令，所以 NCON 、GPG13 和 GPG14 应该接高电平， GPG15 应该接低电平。 K9F2G08U0A 没有地址或数据总线，只有 8 个 IO 口，这 8 个 IO 口用于传输命令、地址和数据。 K9F2G08U0A 主要以 page （页）为单位进行读写，以 block （块）为单位进行擦除。每一页中又分为 main 区和 spare 区， main 区用 于正常数据的存储， spare 区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的 ECC 校验和等。 K9F2G08U0A 的存储阵列如图 3 所示： 图 3 K9F2G08U0A 内部存储阵列 由上图，我们可以知道： K9F2G08U0A 的一页为 （2K ＋64 ）字节 （2K 表示的是 main 区容量， 64 表示的是 spare 区容量），它的一块为 64 页，而整个设备包括了 2048 个块。这样算下来一共有 2112M 位容量，如果只算 main 区容 量则有 256M 字节（即