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目 录
1. 课程设计目的与任务………………………………………………………… 2
2. 设计的内容…………………………………………………………………… 2
3. 设计的要求与数据…………………………………………………………… 2
4. 物理参数设计………………………………………………………………… 3
4.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算……………………………………… 3
4.2 集电区厚度 Wc的选择…………………………………………………… 6
4.3 基区宽度 WB……………………………………………………………… 6
4.4 扩散结深………………………………………………………………… 10
4.5 芯片厚度和质量………………………………………………………… 10
4.6 晶体管的横向设计、结构参数的选择………………………………… 10
5. 工艺参数设计………………………………………………………………… 11
5.1 工艺部分杂质参数……………………………………………………… 11
5.2 基区相关参数的计算过程……………………………………………… 11
5.3 发射区相关参数的计算过程…………………………………………… 13
5.4 氧化时间的计算………………………………………………………… 14
6. 设计参数总结………………………………………………………………… 16
7. 工艺流程图…………………………………………………………………… 17
8. 生产工艺流程………………………………………………………………… 19
9. 版图…………………………………………………………………………… 28
10. 心得体会…………………………………………………………………… 29
11. 参考文献…………………………………………………………………… 30
1
PNP双极型晶体管的设计
1、课程设计目的与任务
《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、 《微电子器件工
艺》和 《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用
的课程,使我们系统的掌握半导体器件, 集成电路, 半导体材料及工艺的有关知
识的必不可少的重要环节。
目的是使我
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