超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟.pdfVIP

下载本文档

8
0
约2.09万字
约 6页
2021-06-17 发布于湖北
举报
版权申诉

超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第45卷第4期原子能科学技术 V01．45，No．4 Atomic Scienceand 2011年4月 Energy Technology Apr．2011 超深亚微米SoI NMOSFET中子辐照效应数值模拟胡志良，贺朝会，张国和，郭达禧 (西安交通大学能源与动力工程学院，陕西西安710049) 摘要：考虑3种特征尺寸的超深亚微米SoINMosFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理，数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SoINMoSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。关键词：中子辐照；超深亚微米；SOINMOSFET；数值模拟中图分类号：TN386．1 文献标志码：A 文章编号：1000一6931(2011)04—0456一05 SimulationforNeutronRadiationEffects On SubmicronSoI Super NMoSFET Deep HU Da-xi Zhi—liang，HEChao—hui，ZHANGGu伊he，GUo (Sc^oDZ n打dPot￡孵r o，E’lPrgy E行gi竹卯ri行g，Xi’n71．，ino￡D行gU矗it肥r5ify，Xi’n竹710049，CJIli订n) Abstract：Theneutronradiationeffectsonthreedifferentsizesof submicron superdeep SOI and studied．Themechanismsof NMOSFET(0．25肚m，O．18扯m0．09肚m)were neutronradiation were The characteristicofthe damageanalyzed．output parameters three ofdevices withdifferent1 MeV fluencesthe neutron and types changing equivalent influenceofthe ofthedevicesonneutron were radiation processparameters damage Theresultsofsimulationand well． simulated． experimentagree neutron simulation words： radiation；superdeepsubmicron；SoINMoSFET；numedcal Key 相对于传统的体硅器件，SoI器件具有更术研究所曾用DAVINCl