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+ IC UCC IB RB + UBE ? + UCE ? UBB C E B + _ _ （1）当UBB=3V时 晶体管已处于深度饱和状态 （2）当UBB=1V时 晶体管处于放大状态 （3）当UBB= -1V时，发射结反向偏置，晶体管可靠截止。 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有 在特性曲线的近于水平部分，IC随IB成正比变化， ? 值才可认为是基本恒定的。 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? ≈ 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC / mA 1 2 3 4 UCE /V 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2