霍尔元件的工作原理及结构.docxVIP

。 霍尔元件的工作原理及结构 如图 1 所示．—块高为 1、宽为 5、厚为 6 的半导体。存外加磁场 B 作用下，当商电流 J 流过时．运动屯子受洛伦兹力的作用而偏向一侧，使该侧形成电子的积累，与它对义的侧面由于电了浓度下降。出现了正电荷·。这样，在两侧面间就形 成了—‘个电场。运动 电子在受洛伦兹力的同时，又受电场力的作用．最后当这两力作用相等时，电子的积 累达到动态平衡，这时两侧之间建立电场，称霍尔电场民，相应的电压称霍尔电压 uEI 。 上述这种现象称霍尔效应。经分析推导得霍尔电压 式中 M— 半导体单位体积中的载流子数； ‘—一电子电量； K M ——程尔元件灵饭度， J(M 一 1／ MrJ。 二·、霍尔元件的材料及结构特点 根报雀尔效应原理做成的器件贴片钽电容叫做程尔元件。霍尔元件—般采用具有 N 型的锗、锑化钥 和砷化钢等十导体单品材料制成。锑化铜元件的输出较大．促受温度的影响也较大。 铬元件 的输小虽小，但它的温度性能和线性度却比较好。砷化姻元件的输出信号没有锑化姻元件大， 但是受温度的影响印比锑化姻的要小，而且线性度也较好。因此，以砷化钡为霍尔元件的材料 得到曾遏放用。 霍尔元件结构很简单、是‘种半导体凹端薄片，它由霍尔片、引线和壳体组成。霍 -可编辑修改 - 。 尔片的相对两侧对称地焊上两对电极引出线，如图 10—2(a) 所示。其小，一对 (altj 端 )