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《模拟电子技术》复习题一
《模拟电子技术》复习题一
一、填空题
1、在 N 型半导体中,多数载流子是
;在 P 型半导体中,多数载流子
是
。
2、场效应管从结构上分为结型和
两大类,它属于
控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合, 可以在信号源与负载之间接入
(共
射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的
电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入
。
6、根据下图中各三极管的电位, 判断它们所处的状态分别为 、 、 。
7、正弦波振荡电路通常由
,
,
和
四部分组成。
二、选择题
1、利用二极管的( )组成整流电路。
A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性
2、P 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。
A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑
+5V
. Ucc
0
3、场效D
3、场效D应1 管的漏极特性曲线5如0K图Rb 2+-53V 所Rc 示2.5K,其类型为Ucc(Rb
)场效应管。
D1
A PD沟2 道增强型
R
M50OK SRb型
Ui
Rc 2.5KB P沟道耗R尽Ub o型
MOS 型
D2
Uo B=50
C- N 沟R道增强-
型Ui
MOS 型
Rf
B=50
D N 沟道耗尽型 MOS 型
-
+
15V 8V
+
Rf
Re1
Re2
+ 15VE 8V
-
Re1
Re2
图2N-1
沟道结型
+
F P 沟
图2-1
图2-2
图2-2道结型
Ucc
图2-5
图2-5
Rc Ucc
id
id
Ugs+1 0
-1
-2
Ucc
Rb1
Rc
Ucc
Rb1
Ugs+1 0
-1
-2
Ubs
C1
C2
C1
C2
C1
C1
Rs
Rs
Re1 RL
Ubs
C2
L
C2 L
Re1 RL
0
图2-3 图2-3
us
Rb2
Re2
Rb2
us
Ce
Re2
Ce
图2-6
图2-6
图2-4 图2-4
图 2- 10
4、有一晶体管接在放大电路中, 今测得它的2R各极对地电位分别为 V1 =-4 V,V2=-1.2 V,
+1 R
+1 R
- A1
-Uo1
+ A2
Uo2
+
R
Uo2
R
- A4
Uo4
+-
Uo4
V3=+-1.4 VA1,试U- o判1
别管A子2 的三个管+脚分别是(A4
+ )。
+
R 2R
- R R +
2R Uo
A 1R:e、 2:b2R、 3:c B 1:2cR 、 2:e、Uo3:b
+2 R
+4 R+2
-
R A3
-
U-o3 -
C+14:cR 、+ 2:bA3、 3:e D 其它情况
+ Uo3
R
R5、集成运放中间图级3-1的作用是( )。
R
图3-1
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻
C 提高放大倍数 D 提供过载保护
6、根据相位平衡条件,判断图 2-6 所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能
7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均
8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值 U2=24V,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得 RL的电压值约为 21.6V,问电路的现象是 ( )。
A正常工作情况B RL 开路D
A
正常工作情况
B RL 开路
D
一个二极管和 C 开路
E 一个二极管开路
.
.
9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联
10、设图 2-10 所示电路中二极管 D1、D2 为理想二极管,判断它们是导通还是截止?
(
)
A D1 导通, D2 导通
C D1 截止, D2 导通
B D1 导通, D2 截止
D D1 截止, D2 截止
三、判断题
( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。
( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
( )4、用电流源代替 Re 后电路的差模倍数增加。
( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。
( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为 NPN 管或都为 PNP 管时)才能组成复合管。
( )7、RC 桥式振荡电路只要 Rf ≤2R1 就能产生自激振荡。
( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。
( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。
( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。四、分析题
电路如图所示:
)写
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