模拟集成电路设计A卷+B卷+标答(郭婷).docxVIP

华中科技大学文华学院 2021?2021学年度第一学期《模拟集成电路设计原理》期末考试A卷 课程性质：必修 使用范围：本科 考试时间：2021年U月27日 考试方式：开卷 学号 专业 班级 学生姓名 成绩 题号 . 四 五 总分 得分 填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按—比例—缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低—的制造成本。 2、 放大应用时，通常使MOS管工作在—饱和—区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义—跨导—来 表示电压转换电流的能力。 3、 人为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，X值—较小—《较大、较小）。 4、 源跟随器主要应用是起到—电压缓冲器—的作用。 5、 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是一输出阻抗一很高，因此可以做成—恒定电流源 6、 由于—尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称一等因素.共模柵入电平的变化会引起差动输 岀的改变。 7、 理想情况下，—电流亂结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为—共源共栅电流镇—结构。 8、 为方便求解，在一定条件下可用—极点一结点关联一法估算系统的极点频率。 9、 与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cm为_G. （I-A） 10、x为沟长调制效应系数，