半导体第十章 IC 工艺集成作业.docxVIP

第十章 IC 工艺集成 1、什么是浅槽隔离STI？（即简要描述浅槽隔离STI），它取代了什么工艺？为什么？ 浅槽隔离是在衬底上通过刻蚀槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步骤，制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺。它取代了LOCOS隔离工艺。 STI取代LOCOS是因为： LOCOS隔离的缺点： ①鸟嘴浪费有源区面积，影响集成度。 ②横向尺寸不能精确控制。 STI的优点：提高电路的集成度，改善电路的抗闩锁性能。 所以STI最终取代了LOCOS作为隔离工艺。 2、写出早期基本的3.0μm CMOS IC工艺技术的工艺流程。 (1). 双阱工艺 (2). LOCOS隔离工艺 (3). 多晶硅栅结构工艺 (4). 源/漏（S/D）注入工艺 (5). 金属互连的形成 (6). 制作压点及合金 (7). 参数测试 3、在早期基本的3.0μm CMOS IC工艺技术中，阱的作用是什么？并描述LOCOS隔离原理。 阱的作用： ① 使PMOS和NMOS管的阈值电压满足要求； ② 减小寄生的闭锁效应； ③ PMOS管做在N阱里，NMOS管做在P阱里，用N阱-衬底PN结的反偏实现PMOS管和NMOS管之间的电气隔离。 LOCOS隔离原理： 通过NMOS场区的硼注入及场区选择氧化，增加场区的表面掺杂浓度及场区氧化层厚度，从而提高寄生NMOS管的阈值电压，使该阈值电压大于Vc