半导体物理基础-光辐射探测的理论基础 .pptVIP

1.2.3 半导体对光的吸收 1．吸收定律 Φ(x)=Φ0(1－r)e-αx α=4πμ/λ r:反射率 α：吸收系数 μ：消光系数 本征吸收 半导体对光的吸收 非本征吸收 本征吸收： 光子能量足够大，价带中的电子能激发到导带 －截止波长 (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 产生电子－空穴 对 条件： 特点： 本征吸收： (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 本征半导体和杂质半导体内部，都有可能发生本征吸收！！！ 特别注意： 非本征吸收： (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 光子能量不足以使价带中的电子激发到导带 ，包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格吸收 杂质吸收： N型半导体 施主束缚电子?导带 P型半导体 受主束缚空穴?价带 本征吸收 电子 －空穴 对 杂质吸收 本征吸收 杂质吸收 波长增大 本征吸收与非本征吸收比较： 电子 或 空穴 本征吸收与非本征吸收比较： 本征吸收 杂质吸收 波长增大 本征吸收 杂质吸收 波长增大 ??? 第1章 光辐射探测的理论基础 辐射度学与光度学 半导体物理基础 光电探测器概述 半导