电子元器件中的薄膜技术.pptxVIP

电子元器件中的薄膜技术 孟祥龙硅基集成电路平面工艺，多层加工以硅单晶片为单位制造发展迅速，重要摩尔定律薄膜技术—电子集成电路—信息社会基础电子系统重量减少（几百公斤-几公斤），功耗降低（几千瓦-几十瓦）战争为例 二战 混凝土 9000枚 越战 200-300枚 海湾战争 1-2枚Ivy Bridge就要来了 集成电路加工的基本操作形成某种材料的薄膜在各种材料的薄膜上形成需要的图形通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型形成材料薄膜的方法化学气相沉积（CVD）物理气相沉积（PVD）热氧化方法 Si ＋ O2 － SiO2光刻技术——IC产业的关键技术 当前的光刻技术，采用193nm曝光波长，可实现大于100nm线宽的图形。 下一代光刻技术，*157nm曝光，小于50nm线宽图形。 再下一代光刻技术，**126nm曝光。*德国的Carl Zeiss公司美国的劳伦斯·利弗莫尔国家实验室、SVGL公司 日本的尼康公司荷兰的ASML公司**德国的Carl Zeiss公司美国的劳伦斯·利弗莫尔国家实验室10mm02468STM 技术在Si(111)面上形成的“中国”字样。最邻近硅原子间的距离为0.4nm。 纳米量级结构的制作是纳米技术的关键技术之一。 我国SPM系统在Au-Pd合金膜表面上机械刻画出的最小线宽为25nm。用AFM机械刻蚀原理刻写的亚微米尺寸的唐诗光刻和刻蚀形成需要的图形正胶和负胶的区别 在硅芯片上涂光阻剂的甩胶 机曝光过程中，光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中 掺杂改变材料的电阻率或杂质类型常用掺杂方法扩散高温过程离子注入常温下进行，注入后需要高温退火处理* 掺杂类型、掺杂浓度、结深（从硅中表面到扩散层浓度等于称底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量 ）典型的CMOS结构和工艺MOS晶体管的结构和分类 MOS晶体管的平面结构和剖面结构n阱CMOS结构和工艺 n阱CMOS工艺基本流程和剖面图一、绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管是一种金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS管。N沟道P沟道增强型MOS管MOS管按工作方式分类耗尽型MOS管N沟道P沟道第四节铝（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理1.结构dN沟道gsdSiO2绝缘层bgsNN箭头方向是区别N沟道与P沟道的标志dN型区P衬底bgbP沟道sS-源极g-栅极d-漏极符号b-衬底引线第四节自由电子uGSgb耗尽区反型层衬底 P型硅SiO2铝空穴uGSgb耗尽区受主离子2.工作原理绝缘栅场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小。（1）感生沟道的形成栅极和源极之间加正向电压过程在电场的作用下，可以把P型衬底表面层中多数载流子空穴全部排斥掉，形成空间电荷区。当uGS增加到某一临界电压(UT)值时，吸引足够多的电子，在P型半导体的表面附近感应出一个N型层,形成反型层—漏源之间的导电沟道。 开始形成反型层的uGS称为开启电压(UT)。uGS越高，电场越强，感应的电子越多，沟道就越宽。第四节VDDdsVGGgiDN沟道NNPb（2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用在栅源电压uGS=0时，没有导电沟道。漏源极之间存在两个背向PN结，其中一个为反向偏置，只能流过很小的反向饱和电流，iD≈0。增大VGG，使uGS=UT时形成导电沟道。在正向漏源电压作用下，沟道内的多子（电子）产生漂移运动，形成漏极电流iD。uGS≥UT时才能形成导电沟道uGS对iD的控制作用：uGS变大沟道宽度变宽iD变大沟道电阻变小MOS晶体管的平面结构和剖面结构MOS晶体管的实际尺寸MOS晶体管的类型n阱CMOS工艺结构特点n阱CMOS主要工艺步骤1. 衬底硅片的选择100晶向无缺陷的单晶硅片8英寸硅片，硅片厚度约700ump 型硅片，电阻率为10-50Ωcm2.制作n阱热氧化形成初始氧化层作为阱区注入的掩蔽层。在氧化层上开出n阱区窗口注磷在窗口下面形成n阱退火和阱区推进3. 场区氧化 LOCOS具体工艺生长薄层SiO2作为缓冲层淀积氮化硅刻掉场区的氮化硅和缓冲氧化层场区注入热氧化形成场氧化层早期的场区氧化工艺-非等平面鸟嘴问题二氧化硅层生长在没有氧化硅阻挡层的区域上,由于氧化剂能够通过衬底 sio2层横向扩散,将会使得氧化反应从氮化硅薄摸的边缘横向扩散在氮化硅的边缘到其内部生成逐渐变薄的sio2层该部分的形状和鸟的嘴部类似,通常叫鸟嘴.在同等工艺的情况下，鸟嘴的尺寸是不会有太大改变的，所以，当尺寸变小时，鸟嘴部份就会吃掉很多isolation的空间，所以必须通过工艺的改变来缩小鸟嘴，但还是有一定限度的，所以不会随尺寸的缩小无限收缩鸟嘴大小当鸟嘴已不能再缩时，收缩space的唯一办法就是把nitride之间的space做的很小