微电子器件及工艺CAD第四章 晶体管的模拟.pptVIP

4.2.4 基区中点方程 [ ] ) x ( n ) x ( p B i B qy exp - = [ ] [ ] ) N ( ) N ( p ) N ( p ) N ( ) N ( n ) N ( p ) N ( p ) N ( p ) N ( p B B B B B i B B B B dy q qdy qy d 0 0 0 0 0 exp - = - - + = + = Talory 级数展开 另外，由基区中点约束条件 [ ] ) N ( n ) N ( p B i B qy exp - = 得 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = 于是，得 npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 比较上面的两个式子发现，NB点空穴浓度p(NB)及 电 势 必须同时满足两个互相独立的方程，这是不可能的。 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 实际上，矩阵方程 = + + + - ) ( ) 1 ( ) ( ) ( ) ( ) 1 ( ) ( N F N y N C N y N B N y N A d d d 的方程数和未知数数量已经相等，都是3(L-2)，如果再由求其满足 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = 就等于方程数比未知数的数目多一个，将使方程组无法求解。 npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 方程组 最上面一个方程是NB点的空穴连续性方程，第二个方程是NB点电子连续性方程，最下面一个是NB点的Poisson方程。解决上述多出一个方程的矛盾，可以通过忽略上面方程中最上面的空穴连续性方程，而以 ) N ( ) N ( p ) N ( p B B B dy q d 0 - = npn晶体管稳态方程 4.2.4 基区中点方程 来代替，即得到 这就是晶体管的基区中性点方程。当N等于其他网格点时，和二极管完全相同。 npn晶体管稳态方程 npn晶体管稳态方程 4.2.5 迭代运算的初值 前面说了，对矩阵方程组的迭代，除了在基区的中点要用基区中点方程代替外，其余各个步骤和二极管相同。从p,n和 的初值开始，迭代地计算增量因子 如果所有的组元 均变得足够小，则迭代结束。 迭代过程还是先求平衡态时npn晶体管的 ,n(x),p(x)的分布。载流子浓度初值的选取和二极管一样，也是认为整个器件是电中性的，于是 = + + + - ) ( ) 1 ( ) ( ) ( ) ( ) 1 ( ) ( N F N y N C N y N B N y N A d d d npn晶体管稳态方程 4.2.5 迭代运算的初值 npn晶体管稳态方程 4.2.5 迭代运算的初值 用前面的初值迭代运算后，得到平衡态或零偏置下npn晶体管的载流子浓度p(x),n(x)及电势分布 。 计算npn晶体管直流偏置下的p(x),n(x), 时，载流子浓度的初值可以直接用前一偏压的结果p1(x),n1(x)，但电势分布因为要满足边界条件，不能直接用 。与二极管一样，将外加电压的变化，均匀地降在加电压的区域中。对共基极接法，xB处电势不变，E、C二端随外加电压变化。假定工作条件为VBE1,VBC1时的真正电势为 ，可求得新工作条件VBE2,VBC2时的解，E、C外加电压的变化VBE2-VBE1及VBC2-VBC1应均匀地降在EB及CB区域，于是 应为 npn晶体管稳态方程 4.2.5 迭代运算的初值 npn晶体管稳态方程 §4-3npn晶体管瞬态模型 npn晶体管的瞬态模型 二极管瞬态特性的模拟，是首先建立二极管稳态或直流模型，已知t=t0时刻的有关电学参量，通过对时间的差分，得到二极管的瞬态模型。 对晶体管而言，同样可以在直流模型的基础上对时间差分，得到其瞬态模型。 二极管模型和晶体管模型之间的关系以及直流特性和瞬态特性计算间的关系示于图4-1。 npn晶体管的瞬态模型 npn晶体管的瞬态模型 二极管稳态模型 基区中点 条件 晶体管稳态模型 时间导数 二极管瞬态模型 基区中点 条件 晶体管瞬态模型 时间导数 图4-1 计算举例 §4-4 npn晶体管直流稳态解计算举例 一、计算用的数据输入 1. 掺杂函数的确定 现