半导体物理半导体中载流子的统计分布.pptVIP

* * 3.3 本征半导体的载流子浓度 注意： 对于某种特定半导体，T确定，ni也确定。室温下： 斜率 极限工作温度 Si：520K Ge：320K GaAs：720K “高温”半导体 * * 3.3 本征半导体的载流子浓度 本征载流子浓度的意义 可作为判断半导体材料的热平衡条件。当半导体处于热平衡时，载流子浓度的乘积n0×p0保持恒定，如果电子的浓度增加，则空穴的浓度要减少；反之亦然。 ——针对非简并半导体而言 因此，若已知ni和一种载流子浓度，则可根据上式求出另一种载流子浓度。 * * 3.3 本征半导体的载流子浓度 2. 本征半导体费米能级的位置 由电中性条件 本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中线处 * * 3.3 本征半导体的载流子浓度 本征费米能级位于禁带中线处，满足n0＝p0的关系。 但是由于导带有效状态密度Nc和价带有效状态密度Nv中分别含有电子状态密度有效质量mdn和价带空穴状态密度有效质量 mdp。由于两者数值上的差异，使本征半导体的费米能级偏离禁带中央。 如果费米能级偏离禁带中线很小，可以认为费米能级基本上位于禁带中央。 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 1. 杂质能级上的电子和空穴 杂质能级的分布函数：电子或空穴占据杂质能级的几率 能带中的能级——可以容纳2个电子 杂质能级——只可以容纳1个电子 ↑↓ ↑ ↓ 全空 ↑ ↓ 全空 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 可以证明 见补充材料：电子占据杂质能级的几率 (1)电子占据施主能级的几率 讨论：1° 当EDEF时，fD(E)→0 2° 当EDEF时， fD(E)→1 3° 当ED=EF时， fD(E)=2/3 (2)空穴占据受主能级的几率 E-EF ED-EF * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 电子占据杂质能级的几率* 杂质能级最多只能容纳某个自旋相反的电子 gD和gA分别是施主和受主的基态简并度 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 请分别说明施主和受主杂质能级位于费米能级之上、之下和等于费米能级时的杂质电离情况 施主：杂质能级位于费米能级之上 全电离 杂质能级位于费米能级之下 几乎不电离 杂质能级等于费米能级 1/3电离 受主：杂质能级位于费米能级之上 几乎不电离 杂质能级位于费米能级之下 全电离 杂质能级等于费米能级 1/3电离 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 几个概念 施主能级上的电子浓度nD 电离的施主浓度nD+ （未电离的施主浓度） 受主能级上的空穴浓度pA 电离的受主浓度pA- （未电离的受主浓度） * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 2. 单一杂质半导体中的载流子浓度 以n型半导体为例 电中性条件和EF 假设只含一种杂质，杂质浓度为ND，施主能级为ED。在热平衡条件下，半导体是电中性的： 导带电子浓度 价带空穴浓度 电离施主浓度 总的负电荷浓度 总的正电荷浓度 只要T确定，EF就能确定，n0、p0随即确定 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 分不同温区进行讨论 (1)低温弱电离区 ≈0 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 (2)中等电离区 =χ2 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 讨论： →0时，低温弱电离区 1时，强电离区 (3)强电离区 电中性方程 χ χ * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 注意a 低温弱电离区 强电离区 EF在ED上 EF在ED下 当EF=ED， 1/3的杂质电离 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 注意b 弱电离与强电离的区分 决定因素 杂质电离能 杂质浓度 温度 一般认为： 室温下杂质全部电离 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 (4)过渡区（强电离区→本征激发区） 此时需要考虑本征激发 电中性条件 EF！ * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 n0、p0的另一种表达 双曲正弦函数 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 讨论 更接近强电离区 更接近本征区 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 (5)高温本征激发区 在此温度下，和本征半导体的情况类似 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 小结（对于n型半导体）——EF随T的变化 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 小结——电子浓度n0随T的变化 * * 3.4 杂质半导体的载流子浓度 小结——EF随ND的变化 以室温为例，此时杂质几乎全部电离 EF——反映半导体的导电类型和掺杂水平 ND高 强n型 NA低 弱p型 NA高 强p型