集成电路工艺基础——01_硅的晶体结构.pptxVIP

第一章 硅的晶体结构与单晶生长 ;第一章 硅的晶体结构与单晶生长 ;第一章 硅的晶体结构与单晶生长 ; 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 硅单晶生长 ;§1.1 硅晶体结构的特点;简单立方 体心立方 面心立方; 300K时，硅的a=5.4305? ,锗的a=5.6463? ;1.1.2 原子密度;1.1.3 共价四面体;1.1.4 晶体内部的空隙;§1.2晶向、晶面和堆积模型;晶向的表示方法;等效晶向（1）;等效晶向（2）;1.2.2 晶面;等效晶面;硅片鉴别方法（SEMI标准）;1.2.3 堆积模型图;密堆积类型：;1.2.4 双层密排面;金刚石晶面性质：;1.3 硅晶体中的缺陷;点缺陷（扩散、氧化）;线缺陷;刃位错的形成;螺位错的形成;面缺陷（层错和晶粒间界）;可以通过外延层错测量外延层的厚度。;返回;§1.4 硅中的杂质;§1.4 硅中的杂质;N 型半导体（Ⅴ族元素）;P 型半导体（III 族元素）;掺杂半导体;掺杂半导体;§1.5 杂质在硅中的溶解度;固溶体分类： 替位式固溶体 杂质占据格点位置 形成替位式固溶体必要条件： 溶质原子半径的大小接近溶剂原子半径，若溶质原子半径与溶剂原子半径相差大于15%，则可能性很小。 （几何有利因素） 连续固溶体（一种物质可无限溶解于另一种物质中） 需为替位式固溶体，且溶剂和溶质原子外部电子壳层结构相似 大部分施主和受主杂质都与硅形成替位式固溶体 间隙式固溶体 杂质存在间隙中;施主（受主）杂质的溶解度，将随晶体中的受主（施主）杂质含量的增加而增大 某种施主（受主）杂质的存在会导致其它施主（受主）杂质的溶解度的下降 选择杂质的依据：杂质的固溶度是否大于所要求的表面浓度 参考P19图1-20 在硅晶体中的固溶度随温度的关系 ;晶体生长;1、起始材料：石英岩（高纯度硅砂）;3、利用分馏法将三氯化硅（沸点为32℃）液体中不要的杂质去除，再与氢气作还原反应，产生“电子级硅”（electronic-grade silicon，EGS）;多晶半导体－单晶;直拉法;直拉法;硅的悬浮区熔工艺;在操作过程中，利用射频加热器使一小区域的多晶棒熔融。射频加热器自底部籽晶往上扫过整个多晶棒，由此熔融带也会扫过整个多晶棒。当悬浮熔区上移时，在再结晶处长出单晶且以籽晶方向延伸生长。 该方法可生产比直拉法更高阻值的物质，主要用于需要高阻率材料的器件，如高功率、高压等器件。;磨光后单晶硅晶片的规格;exercise;answer