现代集成电路制造工艺原理第十一章.pptxVIP

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  • 2021-07-07 发布于河北
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现代集成电路制造工艺原理第十一章.pptx

现代集成电路制造工艺原理;第十一章 淀积;薄膜和薄膜淀积;薄膜特性;膜对台阶的覆盖;高的深宽比间隙;;厚度均匀性,膜纯度和密度;化学剂量分析,膜的结构,膜的粘附性;薄膜生长;膜淀积技术;化学气相淀积(CVD);CVD 化学过程;CVD反应 ;CVD反应步骤;速度限制阶段;CVD气流动力学;CVD反应中的压力;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD反应器加热;CVD反应器配置;;常压CVD(APCVD);常压CVD(APCVD);低压CVD(LPCVD);低压CVD;氮化硅;多晶硅;等离子体辅助CVD;等离子体增强CVD (PECVD) ;等???子体增强CVD (PECVD) ;等离子体增强CVD (PECVD) ;高密度等离子体CVD;高密度等离子体CVD;旋涂绝缘介质(SOD);外延;外延 ;气相外延 (VPE);金属有机CVD (MOCVD);分子束外延(MBE)

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