半导体物理第四章习题参考答案.pdfVIP

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2021-07-12 发布于湖北
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半导体物理第四章习题参考答案.pdf

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半导体物理第四章习题参考答案 2 2 1. 设电子和空穴迁移率分别为1350cm /V ·s 和500cm /V ·s 。试计算本征Si 在室温时的电导率；当掺入百万分之一的 As 后，试比较其电子电导率、空穴电导率和本征Si 的电导率的大小（设杂质全部电离）。答：(1) 本征时载流子浓度为： 10 3 ； ni pi 1.510 cm 其电导率的大小为：  i  n q  p q 4.45106 Ωcm i i n i p 51022 -3 16 -3 (2) 当掺入百万分之一的As 时，施主浓度为：ND 6 cm 510 cm 10 （其中N 51022 cm-3 为Si 的原子密度）。 2 由于杂质全部电离，从而： 16 -3 ni 3 -3 ； n ND 510 cm , p 4.510 cm n 电导率分别为： n nqn 10.8  cm p pq p 3.601013 cm     10.8  cm As n p n 可见，掺杂后电导率主要由多子决定，在本题中   。 n i p 3 2. 电阻率为10 Ω·cm 的P 型Si 样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子的浓度。答：对于P 型样品，有：p n ，空穴起主导作用，从而： 1 3 p pqp  10 cm 使用第1 题中的数据：p 500cm2 Vs ，有：  p 13 -3 p 1.25*10 cm qp 2 ni 7