半导体物理第五章习题参考答案pn 结.pdfVIP

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2021-07-12 发布于湖北
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半导体物理第五章习题参考答案pn 结.pdf

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第五章习题 pn 结 1. 讨论pn 结势垒高度对禁带宽度、掺杂浓度以及温度的依赖关系。若p 、n 两边掺杂浓度分别为 1015/cm3 和 1017/cm3 ，求本征载流子浓度 ni 分别为 1.51010/cm3 和2.31013/cm3 这两种情形300K 时的自建势。答: 由自建势的公式: kT N N i ln d 2 a q ni 从而： kT  E   ln N N ln N N  g  i d a V C q  kT  kT E ln N N ln N N  g d a V C q q 所以，pn 结禁带宽度越大，自建势越大；掺杂浓度越高，自建势越大；温度越高，自建势越大。有： (1) 当n ＝1.51010/cm3 时： i N N 23 15 17 kT 1.3810 300 10 10 i ln d 2 a 19 ln 10 2 V 0.694V q ni 1.610 (1.510 ) (2) 当n ＝2.31013/cm3 时： i N N 23 15 17 kT 1.3810 300 10 10 i ln d 2 a 19 ln 13 2 V 0.314V q ni 1.610 (2.310 ) 2. 对于施加偏压 V 的pn 结，证明： 0 0  qV kT  n x n x n n e 1 。       p p p p   证：忽略载流子在空间电荷区的产生复合，从而在空间电荷区内，电子和空穴的浓度不变，其准费米能级为常数，注意到外加偏压集中降落在空间电荷区上，从而两者的能级差为外加偏压q V，由载流子的浓度公式：