微电子学概论复习题.docVIP

大规模集成电路基础 1． 集成电路制造流程、特征尺寸 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、测试、封装等工序。集成电路设计是根据电路所要完成的功能、指标等首先设计出在集成电路工艺中现实可行的电路图，然后根据有关设计规则将电路图转换为制造集成电路所需要的版图，进而制成光刻掩模版。完成设计以后，便可以利用光刻版按一定的工艺流程进行加工、测试，最终制造出符合原电路设计指标的集成电路。 特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺度，这是衡量集成电路加工和设计水平的重要参数，特征尺寸越小，加工精度越高，可能达到的集成度也越大，性能越好。 2． CMOS集成电路特点 CMOS集成电路具有功耗低、速度快、噪声容限大、可适应较宽的环境温度和电源电压、易集成、可按比例缩小等一系列优点。CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电路形式，为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分别形成n型和p型区域，并在n型区域上制作pMOSFET，在p型区域上制作nMOSFET。如果选用n型衬底，则可在衬底上直接制作pMOSFET，但对于nMOSFET必须在硅衬底上形成p型扩散区（常称为p阱）以满足制备nMOSFET的需要。 3． MOS开关、CMOS传输门特性 MOSFET处于大信号工作时，有导通和截止两种状态，因此可