电子电气产品基本原理介绍.docx

? ? PAGE # - 电子电气产品基本原理介绍 基本原理介绍（转换组件） 作为一名DC TO DC CONVERTER研发人员具备的基本理论专业知识： :电工技朮基础知识 2:模擬与数字电路 3：电磁学原理 4：数学基础知识及高等数学，英语基础知识 5 : il 算机基本使用 Word. Excel. AutoCAD. Prolel 6:测试仪器的使用 7:上网多了解竞争对手产品。 在讲转换组件之前我们有必要了解一些基础知识： 1 :电流Current :单位时间流过导体截面积的电量 定义式：I = Q/T I ：电流，单位安培A或库仑/秒 Q :电量电荷的多少，单位库仑 T :时间，単位秒S :电压Voltage :电位之差，单位伏特V ,电位指一点、电压指两点电位之间 电压 Vab=Va-Vb :电阻Resistance :阻碍电流通过的特性 R= P *L/S R ：电阻，单位欧姆。 P:介电常数 L：长度，L越长电阻会增大，反之减小 S:截面积，S増大电阻减小，反之增大 :功率Watt :电压与电流之积。 P=U*I P：功率，单位瓦特P U :电压 I :电流 ：效率 n =(Pout/Pin)*100%=(V out * I out) /(Vin * I in) *100% 效率(Efficiency) n相对越高越好。 6：欧姆定律：在一段电路中，通过的电流I与两段电压成正比，与电阻成反比。 定义式:I = U/R I ：电流，单位安培A U ：电压，单位伏特V R：电阻，单位欧姆。 7:基尔霍夫第一定律也称电流定律：流入节点的电流等于流出节点的电流 II 即：11=12 + 13 节点：三个或三个以上支路相交的交点 8:基尔霍夫第二定律也称电压定律:在一个闭合回路中，沿电流方向的电压之和为零。 丄R2 丄 R2 即：I*R1+I*R2-E=OV :在直流电路中电阻串联，R.LU三者特点： 一.R] . 1 1 —— + - I - “ L2 在串联电路中：电流处处相等，1=11=12 总电压等于各部分电压之和，E=U1+U2 = I1*R1+I2*R2 总电阻等于各部分电阻之和，R = R1+R2 即：串联电路分压 :在直流电路中电阻并联，R. I. U三者特点： 在并联电路中：总电流等于各支路电流之和，1=11+12 电压处处相等，E=U1=U2=I1*R1=I2*R2 总电阻倒数等于各部分电阻倒数之和，1/R=1/R1 + 1/R2 R = (R1*R2)/(R1+R2) 即：并联电路分流 :绝缘体：在自然界中完全不能导电的物质，例如：干木头，陶瓷，橡胶 导体：能导电的物质， 例如：铁、钢?水 半导体SEMICONDUCTORS :导电性能介于绝缘体与导体.例如：硅，緒 本征半导体：没有渗杂的半导体，也称为纯净半导体。 中和：物质中的电子与质子互相抵消。 在半导体材料中硅，緒都为四价元素，电子(带负电)与空穴(带正电)； 在半导体材料中硅，緒中渗入五价元素磷，电子为多数载流子，空穴为少数载 流子，形成N型半导体； 在半导体材料中硅，緒中渗入三价元素硼，电子为少数载流子，空穴为多数载 流子.形成P型半导体； PN结：把P型半导体与N型半导体通过工艺的加工使之形成一个层面。 . . PAGE # - :二极管Diode :由半导体材料中硅，错渗入杂质形成一个PN结。 :极管Diode中PN结半向导电性:给PN结加上正向电压导通； PN结加上反向电压截止。 正白邃壁璋彊 E 反向邃堅截止 E :极管Diode的描述方法：电压与电流关系，即伏安特性曲线图 化安W 化安W住匱 二极管Diode為非線器件O 实践工作中使用的二极管Diode : ? ? PAGE # - 选择二极管Diode注意事项： :二极管Diode最大反向电压Vrm ; :二极7? Diode最大正向电流Ifm ； :二极管Diode最大功率Pc ； :二极管Diode外观尺寸，SMT、DIP。 二极管Diode判断的方法：利用二极管Diode单向导电性 判断工具：數子万用表 正向導通 正向導通 ;半导体组件晶体管TRANSISTOR也稱三极管 三极：基极Base，发射极Emitter ,集电极Collector ; 三区：基区，发射区，集电区； 年重珏Collector两结（PN 年重珏Collector SSS Collector Jr 品体管TRANSISTOR形象表示方法，但内部实际结构不一样！： 荃極Base 集重瓯Collector NTX2J IE 、 發射瓶Emiltcr 集電極Collector 發射極Emitter rxra 品体管的描述方法:输入,输岀特性曲线 输入特性曲线：集电极与发射极电压Vce-定，基极与