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7.2.2 退火;退火温度 Ts
在常规退火的热炉管中退火30分钟后90%的注入离子被激活的温度。
（2）硼和磷的常规退火;（3）快速热退火及其装置;7.3 与离子注入有关的工艺;（2）掩膜
掩膜层厚度d : 作为掩膜的硅化物，氮化物和光刻胶等材料层的厚度。
穿透系数T： 透过厚度d 掩膜层的离子注入量 和总注入量S之比。
，（7-9）
T 和d 之间的关系
【注】由于 ，可得
;7.3.2 倾角离子注入：减弱注入离子有效能量;7.3.3 高能注入和大束流注入;（3）氧注入隔离（SIMOX）与绝缘体硅（SOI）
（注入能量： ）; 第 8 章 薄膜淀积;8.1 外延生长工艺;1. 硅CVD
（1）反应原理（反应物： , , , ）
可逆反应：
竞争反应：;（2）掺杂外延：杂质在硅表面吸附、分解并运动到生长边缘而掺入生
长层。
P型掺杂剂 — ；N型掺杂剂 — 和
稀释剂 — （与掺杂剂混合以控制混合气体流量）;2. 砷化镓CVD（携带气体 ）
砷组元：
镓组元：
CVD反应：
3. 金属有机化合物 CVD（MOCVD）：生长砷化镓为例
（1）反应原理
P 型掺杂剂 — ： ；
N 型掺杂剂 —
携带气体 — （ M原子易在 中析出并向薄膜生长表面输送）;（2）MOCVD装置;8.1.2 分子束外延（MBE）;（3）晶面清洁
—高温烘培：分解氧化层并使其他吸附物蒸发
—离子溅射：低能惰性气体离子束表面溅射处理及退火
（4）分子碰撞率 与平均自由程
单位时间，单位面积上碰撞的分子数称为分子碰撞率。即：
式中P和T分别是真空压强和温度，m为分子质量。而平均自由程为：
这里d为分子直径。;8.2 外延层结构和缺陷;黄君凯 教授;（2）应变层外延
临界层厚度
随着应变层增加，处于扭曲应力作用下的原子数增多；达到某一临界厚度时，刃型位错将在应变层中形成，以释放应变能。;应变层超晶格（SLS）
— 超晶格：由不同材料以10nm厚度构成
的人造一维周期性结构。
— 应变层超晶格：以超晶格结构形成失配
层，消除位错获得高质量单晶材料。
8.2.2 外延层中的缺陷
（1）衬底缺陷
（2）界面缺陷
（3）沉淀物位错环（过饱和掺杂）
（4）晶界和孪晶（失序区域界面）
（5）刃型位错
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