模拟电子技术基础第1章常用半导体器件.pptxVIP

第1章 常用半导体器件;作业;1.1 半导体基础知识;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;空穴;载流子;半导体导电的两个方面;半导体中的载流子;二、杂质半导体 1、 N型半导体;2、 P型半导体;;;;P区;1. 交界面出现自由电子、空穴的浓度差别;3. 内电场的出现使少数载流子向对方漂移;扩散运动;;;P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;PN结具有单向导电性线性电阻具有双向??电性;四、PN结的电流方程和伏安特性;;五、PN结的电容效应;1.2 半导体二极管; 一、二极管的结构;规定二极管的端电压uD的参考方向和二极管的电流iD的参考方向 ;参考方向的选取共有四种可能，本教材中选择其中的一种。;;线性电阻参考方向的选取只有两种可能：关联、非关联。;;死区电压Uth 硅二极管的死区电压一般为0.5V，锗二极管的死区电压一般为0.1V。 硅二极管正向导通电压约为0.7V，锗二极管正向导通电压约为0.2V。 反向击穿电压UBR 。 ;温度对二极管的伏安特性的影响;二极管的电阻;;五、二极管的主要参数;三、二极管的等效电路;（一）二极管的直流电阻rD;;二极管的模型（等效电路）;（1）直流理想模型 （2）直流恒压降模型 （3）直流折线模型 （4）直流指数模型;（1）直流理想模型;（2） 直流恒压降模型;（3）直流折线模型;（4） 直流指数模型;（二）交流小信号模型（小信号模型）;应用举例;（一）用二极管直流模型来分析电路; 解:;（硅二极管典型值）;（硅二极管典型值）;二极管使用直流理想模型理想模型;（硅二极管典型值）;（硅二极管典型值）;VDD=10V 时;(一)用二极管直流模型来分析电路;解：（1）当 =0V、4V、6V时，求输出电压值;2）当 =4V时，求输出电压值;3）当 =6V时，求输出电压值;（2）当 时输出电压的波形 ;理想二极管导通，理想导线代替;若输入为正弦信号 ，二极管采用理想模型， 画输入信号和输出信号的波形如图所示。;例3 电路如图所示，已知R=10k，VREF=10V，求当输入电压ui为正弦波时电阻两端电压的波形，二极管两端电压的波形。;例4 低电压稳压电路;;;讨论;讨论;例5 有两个二极管的开关电路;解题思路;UO= 5V ;;例1-6 单相半波整流电路 ;例1-7 单相全波整流电路 ;例1-8 单相桥式整流电路 ;四、二极管的主要参数;五、稳压二极管;稳压原理：在反向击穿时，电流在很大范围内变化时，只引起很小的电压变化。; (1) 稳定电压UZ ：在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ ：rZ =?U Z /?I Z ，rZ 愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作电流Izmin ：保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜Izmin 则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流Izmax ：电流超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。;;已知例图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？;;稳压管的计算;解：答案中详细的步骤;最大稳定工作电流;限流电阻的取值;;解：;;解：;光电二极管是有光照射时会产生电流的二极管。;LED显示器;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;第1章 常用半导体器件;作业;1.3 双极型三极管;一、双极型三极管的结构简介; BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于两个PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。; 一、晶体管的结构和符号;; 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管; 结构特点(对NPN PNP型均适用);两个PN结,每个有正偏和反偏两种状态,组合起来,共有4种状态:;二、放大状态下BJT的电流分配与控制关系;;2、三极管具有电流放大作用时在三极管内部载流子的传输过程（以NPN管为例介绍）;（2）自由电子在基区扩散与复合（对NPN管子为自由电子，对PNP管子为空穴）;（3）集电区收集从发射区扩散过来的载流子（对NPN管子为自由电子，对P