《计算机电路基础》教学课件 002.pptxVIP

项目二 常用半导体器件 的检测与识别 半导体基本知识 二极管 三极管 任务一 半导体基本知识 一、半导体的基本特点 根据导电能力（电阻率）的不同，自然界的各种物质可分为导体、绝缘体和半导体。目前，常用来制造电子元器件的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）及砷化镓（GaAs）等。它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，并具有掺杂性、光敏性和热敏性等特性。 热敏性：半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加的特性。 光敏性：半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性。 掺杂性：半导体的导电能力因掺入适当的杂质而发生很大变化。 二、本征半导体 完全纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。硅和锗是常见的本征半导体材料，它们都是四价元素，其原子结构中最外层轨道上有四个价电子。半导体与金属和许多绝缘体一样，均具有晶体结构，它们的原子形成规则排列，邻近原子之间由共价键连接，其原子结构和共价键结构如左图所示。 在本征半导体中存在着两种极性的载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体受外界能量（热能、电能和光能）的激发，同时产生电子空穴对的过程，称为本征激发，其过程如右图所示。 硅和锗的原子结构和共价键结构 本征激发产生电子空穴对的过程 本征半导体存在以下特点： 1）半导体中存在两种载流子：一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴。它们都可以运载电荷形成电流。 2）在本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 3）在一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别于导体导电的一个主要特征。 三、杂质半导体 如果在本征半导体中掺入微量杂质（其他元素），形成杂质半导体，其导电能力会显著变化。根据掺入杂质的不同，可以分为P型半导体和N型半导体。 1．N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元素，如磷、砷、锑等，就形成N型半导体。杂质原子替代了晶格中的某些硅原子，它的四个价电子和周围四个硅原子组成共价键，而多出的一个价电子很容易受激发脱离原子核的束缚成为自由电子，但并不同时产生空穴，相应的五价元素的原子因失去一个电子而成为不能自由移动的带正电粒子——正离子，由于杂质原子可以提供电子，故也称施主原子，如右图所示。 N型半导体 掺入的杂质浓度越高，产生自由电子的数目越多，所以电子为多数载流子，简称多子。由于电子带负（negative）电，所以称这种半导体为N型半导体。这种半导体中还有少量本征激发产生的空穴，称为少数载流子，简称少子。N型半导体中电子的浓度比空穴的浓度高得多。当在其两端加电压时，主要由电子定向移动形成电流。 2．P型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素，如硼、铝、铟等，就形成P型半导体。杂质原子替代了晶格中的某些硅原子，它的三个价电子和周围四个硅原子组成共价键，而第四个共价键因缺少一个价电子出现空位，由于空位的存在，使邻近共价键内的电子只需很小的激发能便能填补这个空位，相应的三价元素的原子因得到一个电子而成为不能自由移动的带负电粒子——负离子，由于杂质原子得到电子，故也称为受主原子，如右图所示。 这种杂质半导体的多子是空穴，因空穴带正（positive）电，所以称为P型半导体。P型半导体中空穴的浓度比电子的浓度高得多。当在其两端加电压时，主要由空穴定向移动形成电流。 P型半导体 四、PN结 1．PN结的形成 在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型半导体，在它们的交界面附近会形成一个很薄的空间电荷区，称为PN结。 PN结的形成过程如图所示。由图（a）可知，交界面两侧明显存在载流子的浓度差，N区的多子（电子）必然向P区扩散，并与交界面附近P区的空穴复合，在N区留下一层不能移动的正离子；同样，P区的多子（空穴）也会向N区扩散，并与交界面附近的N区电子复合而消失，在P区留下一层不能移动的负离子。扩散的结果是使交界面出现了空间电荷区，如图（b）所示。 （a）载流子的扩散运动 （b）空间电荷区的形成 PN结的形成过程 2．PN结的单向导电性 （1）PN结正向偏置 给PN结加上直流电源，使电源的正极接P区，负极接N区（称PN结正向偏置），如图（a）所示。由于PN结是高阻区，而P区与N区电阻很小，因而外加电压几乎全部落在PN结上。由图可见，外电场一方面将推动P区多子（空穴）向右扩散，与原空间电荷区的负离子中和；另一方面推动N区的多子（电子）向左扩散，与原空间电荷区的正离子中和，这样空间电荷区变窄了，打破了原来的动态平衡。