新型半导体异质集成及器件构筑.docx

爾弟火乡物理与微电子科学学院 hunan university School of Physics and Electronics 施 in 傲纳光电器1牛及应用钗盲部重点实验皇 新型半导体异质集成及器件构筑 廖蕾 微纳光电器件及应用教育部重点实验室物理与微电子科学学院 UCLA NCFETs MPMS 新方法： 沟道缩减 0砒機 HUNAN UNIVERSITY Adv. FunctMater. Mater Small Nano Lett. Adv. Mater Drain MoS; Buffer layer 310 Nano Ener Small 新方法； 存储器件 Tunnelling 300 G射频晶体管 Nature Adv. Mater. 新方法： 隧穿接触 Adv. FunctMater. 深入理解:接触电阻 Tlnw (a) 新方向： 光电子器件 ?晶体管 ?界面控制：范德华异质集成 ?界面控制：超薄缓冲层 ?物性调控：嵌入与复合 ?总结 ?晶体管 ? ? ? ? 集成芯片的构成 现代芯片中大于88%的器件是由FET构成的 1I1-V 100 0 80 40 20 1935 1995 19?0 =y 2(XM) 场效应晶体管(FET)，核心器件 1990 Year p-type FET + n-type FET+ CMOS:微电子主流技术 4% 8% 特征尺寸接近极限 32/28nm 22/20nm I 16/14nm 10nm SiGe P.Ch.FinFETFDSOI(Pch)Weff boost Fin FETchannelFDSOI(Strain)Gate-All-Around SiGe P.Ch. FinFET FDSOI(Pch) Weff boost Fin FET channel FDSOI(Strain) Gate-All-Around NMOS SiC:P FDSOI /国际半导体路线图、 新材料 宽禁带半导体碳纳米管 二维层状材料 隧穿晶体管负电容晶体管 自旋晶体管 硅厚度的极限 沟道厚度极限： 沟道厚度(Tb°dy)/沟道长度(Lch) ~ V 1/3 SOISmart cuto o o o o O o o o o O5 4 3 2 1 h、E。】 AM=qoE UOIEUJ5 SOI Smart cut o o o o o O o o o o O 5 4 3 2 1 h、E。】 AM=qoE UOIEUJ 5冋 m 4妇 表面悬挂键, 厚度降低迁移率同时降低 Hiruma Y et al. Journal of Applied Physics, 2005,103,084503 原子级厚度的二维半导体材料 ?二维材料是一种新型的柔性半导体材料，同时具有原子级的厚度 ＞接近完美的晶体结构 ＞原子级的厚度 ＞原子级的厚度同时具有很高的迁移率 ＞出色的机械强度 ＞高光透过率 研究策略 硅基晶体管介质层介质层新材料晶体管 硅基晶体管 介质层 介质层 新材料晶体管 新型半导体晶体管构建物性调控 新型半导体晶体管构建 物性调控 ￡ 界面控制 % ? ?界面控制：范德华异质集成 ? ? ? 8 8 范德华异质集成 传统集成方法会损坏材料表面，引入缺陷，降低晶体管性能 传统物理沉积集成方法 二维石墨烯的拉曼图谱 化学键强相互作用 界面间隙：0.2-0.3nm 彳乍用力：30-400 KJ/mol 磁控溅射 R 物理气相沉积八 电子束蒸发；； ——丿R - 缺陷峰 「，▲, 原子层沉积 1290 、/ 1800 2400 Wavenumber (cm、 3000 NiZH ef al. ACS Nano 2008, 2 1033 范德华集成vs .传统沉积 Peeling transferred metal Transfi metals Evaporated metals Peding evaporated metal 10 |im 5 he Liu, Y. et al. Nature 2018, 557, 696 物理转移法构建石墨烯晶体管 ad rn.3)A=suoe一 a d rn.3)A=suoe一 ?:?顶栅石墨烯晶体管的迁移率达到23,000 cm2/Vs；已经 接近二氧化硅表面石墨烯迁移率的理论预测极限。 Liao L, et al. PANS 2010, 107,6711 Liao L,et al. Adv. Mater. 2010, 22,1941 Liao L et al. Nano Lett. 2010,10,1917 自对准栅石墨烯晶体管 Channel length (nm)Frequency (GHz)■ 44 nm? 22 nm Cha