2021年半导体器件物理复习重点.docx

精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 学习好资料欢迎下载半导体器件物理_复习重点第一章PN 结1.1 PN结是怎么形成的？1.2 PN结的能带图（平稳和偏压）1.3 内建电势差运算1.4 空间电荷区的宽度运算Naxp.Ndxn1.5 学习好资料 欢迎下载 半导体器件物理 _复习重点 第一章 PN 结 1.1 PN结是怎么形成的？ 1.2 PN结的能带图（平稳和偏压） 1.3 内建电势差运算 1.4 空间电荷区的宽度运算 Naxp.Ndxn 1.5 PN结电容的运算 其次章 PN 结二极管 2.1 抱负 PN 结电流模型是什么？ 2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布） 2.3 抱负 PN结电流 ..eVa..J.Js.exp...1. ..kT.. Js.eDppn0 Lp.eDnnp0Ln.1D1n..en..Na.n0Nd.2iDp.. .p0.. 2.4 PN结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？ 2.5 产生 -复合电流的运算 2.6 PN结的两种击穿机制有什么不同？ 第三章 双极晶体管 3.1 双极晶体管的工作原理是什么？ 3.2 双极晶体管有几种工作模式，哪种是放大模式？ 第 1 页，共 6 页 精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 学习好资料欢迎下载3.3 双极晶体管的少子分布（图示）3.4 双极晶体管的电流成分（图示） ，它们是怎样形成的？3.5 低频共基极电流增益的公式总结（分析如何提高晶体管的增益系数）..1.pE0DELBtanh(xB/LB)NB1.1..NEnB0DBLEtanh(xE/LE)1DBxB..DExE 11.T 学习好资料 欢迎下载 3.3 双极晶体管的少子分布（图示） 3.4 双极晶体管的电流成分（图示） ，它们是怎样形成的？ 3.5 低频共基极电流增益的公式总结（分析如何提高晶体管的增 益系数） ..1.pE0DELBtanh(xB/LB)NB1.1..NEnB0DBLEtanh(xE/LE) 1DBxB..DExE 11.T..cosh(xB/LB)1.(x/L)2 BB2 .. 1.1Jr0.eV. exp..BE.Js0.2kT. ....T. ...1.. 3.6 等效电路模型 （Ebers-Moll 模型和 Hybrid-Pi 模型）（画图和简 述） 3.7 双极晶体管的截止频率受哪些因素影响？ 3.8 双极晶体管的击穿有哪两种机制？ 第四章 MOS场效应晶体管基础 4.1 MOS结构怎么使半导体产生从积累，耗尽到反型的变化？ （加负压时，半导体产生积累型，由于负电荷显现在金属板上， 假如电场穿入半导体， 作为多子的空穴将会被推向氧化物—半导体表 面，形成积累；加一个小的正压时，正电荷积累在金属板上，假如电 荷穿过电场时， 作为多子的空穴被推离氧化物—半导体表面， 形成一 个负的空间电荷区；加一个更大的正压时， MOS电容中负电荷的增 第 2 页，共 6 页 精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 学习好资料欢迎下载多表示更大的空间电荷区以及能带弯曲程度更大，半导体表面从P 型转化为 N 型；）4.2 MOS结构的平稳能带图（表面势，功函数和亲和能）及平稳能带关系VOX0..s0 学习好资料 欢迎下载 多表示更大的空间电荷区以及能带弯曲程度更大， 半导体表面从 P 型 转化为 N 型；） 4.2 MOS结构的平稳能带图（表面势，功函数和亲和能）及平稳 能带关系 VOX0..s0...ms 4.3 栅压的运算 (非平稳能带关系 ) VG.VOX..s..ms 4.4 平带电压的运算 4.5 阈值电压的运算 * Q#39;SD(max).eNaxdT xdT.4.s.fp....eN..a..12 .fp .ms.Na.Vthln..n.i... ..Eg......m.....2e..fp... .... Cox. .ox tox Q#39;SD(max).eNdxdT xdT.4.s.fn....eN..d..12 .fn .ms.Nd.Vthln..n.i... ..Eg......m.....2e..fn... .... Cox..ox tox 4.6 MOS电容的运算 第 3 页，共 6 页 精品学习资料 名师归纳总结——欢迎下载 学习好资料欢迎下载总的电容公式LD..sVtheN a4.xs.fpdT.eN a4.7 MOSFET的工作原理是什么？（ N 沟道增强型， 学习好资料 欢迎下载 总的电容公式 LD..sVth eN a 4.xs.fp dT. eN a 4.7 MOSFET的工作原理是什么？ （ N 沟道增强型， N 沟道耗尽型； P 沟道增强型，道耗尽型；流 入为 N 沟道，流出为 P 沟道） 4.8 电流 -电压关系（运算） N