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电子行业投资分析报告 2021 年7 月 1、摩尔定律放缓，后摩尔时代来临 国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议 5 月 14 日在北京召 开。会议要求，要高质量做好“十四五”国家科技创新规划编制工作，聚焦“四个面向”， 坚持问题导向，着力补齐短板，注重夯实基础，做好战略布局，强化落实举措。中共 中央政治局委员、国务院副总理、国家科技体制改革和创新体系建设领导小组组长 刘鹤还组织专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。 后摩尔定律是根据摩尔定律提出的，摩尔定律是英特尔创始人之一戈登·摩尔的 经验之谈，其核心内容为：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过 18 个月 便会增加一倍。换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍。 图1 ：摩尔定律：集成电路上可以容纳的晶体管数目约每18 个月便会增加一倍 资料来源：TEL 然而近些年，随着芯片工艺不断演进，硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，晶体 管再变小变得愈加困难。 一方面，技术难度迅速加大。目前最新的制程工艺节点为5nm，使用的是FinFET （鳍式场效应晶体管）技术，而再往下的制程，将不得不使用 GAAFET （Gate-All- Around ，闸极环绕场效应晶体管）等新技术，这对于芯片制造厂商来说，是一项不小 的挑战。对于决定制程突破关键的上游设备厂商来说，5nm 以下的制程对设备的要 求也极高，以光刻机为例，荷兰ASML 是全球唯一有能力制造EUV 光刻机的厂商， 而面向3nm 及更先进的工艺，芯片制造商将需要一种称为高数值孔径EUV （high-NA EUV）的EUV 光刻新技术。据ASML 年报披露正在研发的下一代采用high-NA 技 术光刻机大约在2024 年前后量产。 另一方面，由于随着技术节点的不断缩小，集成电路制造设备的资本投入越来 越高。在摩尔定律的推动下，元器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小， 导致生产技术与制造工序愈为复杂，制造成本呈指数级上升趋势。当技术节点向 5 纳米甚至更小的方向升级时，普通光刻机受其波长的限制，其精度已无法满足工艺 要求。因此，集成电路的制造需要采用昂贵的极紫外光刻机，或采用多重模板工艺， 重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽，使得薄膜沉积和刻蚀次数显著增 加，意味着集成电路制造企业需要投入更多且更先进的光刻机、刻蚀设备和薄膜沉 3 / 14 积设备等，造成巨额的设备投入。以 5 纳米技术节点为例，其投资成本高达数百亿 美元，是14 纳米的两倍以上，28 纳米的四倍左右。巨额的设备投入只有具备一定规 模的头部集成电路制造厂商可以负担。 图2 ：随着技术节点的不断缩小，集成电路制造的设备投入呈大幅上升的趋势 每5万片晶圆产能的设备投资（百万美元） 25000 21,495 20000 15,557 15000 11,420 10000 8,449 6,272 4,746 5000 2,134 2,504 3,082 3,950 0 数据来源：IBS 、中芯国际招股说明书、市场研究部 因上述原因，摩尔定律逐渐放缓，同时，随着5G 及物联网的进一步发展，接入 网络的设备越来越多，对于算力及存储的需求迅速提升，以硅为主体的经典晶体管 很难维持集成电路产