第七章MOS反向器.pptVIP

（3）P沟增强: （4）P沟耗尽: 第二部分 MOS反相器 反相器是MOS数字集成电路中最基本的单元电路。由于CMOS技术已经发展成为大规模集成电路（VLSI）的主流技术，因此本章以CMOS为主，在这之前先介绍NMOS和其他类型的反相器。 MOS反相器简介： MOS反相器可分为：静态反相器、动态反相器。 其结构如右图： 驱动管通常为增强型NMOS，即E-NMOS。 负载元件可以是：电阻（E/R反相器），增强型MOS（ E/E反相器），耗尽型MOS（ E/D反相器），P沟MOS（CMOS）。 有比反相器：P113 无比反相器：P113 负载 驱动管 MOS静态反相器的 一般结构 NMOS反相器 NMOS反相器简介： 1.饱和增强型负载NMOS反相器 饱和增强型负载NMOS反相器 ＝ 教材中的增强型 NMOS管 M1 M1 M2 M1工作状态? 饱和增强型负载NMOS反相器 Vi为低电平时，根据 M1 M2 可知，当 时， 其输出高压比电源VDD少了一个阈值电压: 这就叫阈值损失。 由ID1=ID2的条件可以得到输出低电平： 2.非饱和增强型负载NMOS反相器 为了克服饱和负载反相器输出高电平有阈值损失的缺点，可以把负载管M2的栅极接一个更高的电压VGG，且VGGVDD+VT，使负载管M2由饱和区变为线性区。 由线性区电流方程：