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什么是晶体管及其种类与参数 ? 慧聪电子元器件商务网 2003-07-11 16:51:05 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“ V”或“ VT”（旧文 字符号为“ Q”、“ GB”等）表示。图 5-1 是晶体管的电路图形符号。 晶体管是内部含有两个 PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。 它对电信号 有放大和开关等作用，应用十分广泛。 一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。图 5-2 是晶体管的分类。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体 管的极性可分为锗 NPN型晶体管、 锗 PNP晶体管、硅 NPN型晶体管和硅 PNP型晶 体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶 体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑 封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷 封装晶体管等。其封装外形多种多样。 图 5-3 是部分晶体管的外形。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放 大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶 体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、 耗散功率、 频率特性、 集电极最大电流、 最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流 电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放 大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流 I C 与基极电流 I B 的 比值，一般用 hFE或 β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放 大倍数， 是指在交流状态下， 晶体管集电极电流变化量△ I C 与基极电流变化量△ I B 的比值，一般用 hfe 或 β表示。 FE h 或 β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些 差异。 （二）耗散功率 CM 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率 P ，是指晶体管参数变化不超过规定 允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在 使用时，其实际功耗不允许超过 PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 CM CM 通常将耗散功率 P 小于 1W的晶体管称为小功率晶体管， P 等于或大于 1W、 CM 小于 5W的晶体管被称为中功率晶体管，将 P 等于或大于 5W的晶体管称为大功 率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围， 则会出现放大能力减