电力电子技术之电力电子器件概述.pptxVIP

电力电子技术; 电力电子学诞生以来，半导体学科被分为两个分支：一是以集成电路为核心的微电子学，另一是以大功率半导体器件为代表的电力电子学。前者单元器件功率越来越小，后者则越来越大。 伴随着应用领域拓展，集成电路功率化、功率器件集成化的发展趋势，两个分支又被有机地结合起来，于是出现了功率集成电路（PIC），它使得微电子技术和电力电子技术相辅相成，将信息与功率合成一体。;1.电力电子器件的概念 电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处???电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 广义上电力电子器件可分为真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。 ;2.电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器。 ;?通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 ?当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 ;3. 应用电力电子器件的系统组成; 根据开关功能将功率半导体器件分为三类： 不可控器件：只依据加在主电极之间的电压极性来决定其导通或关断状态。电力二极管（Power Diode） 半控型（导通可控）器件：从关断状态到导通状态是可控的，而从导通到关断状态的转换由主电路状态决定。晶闸管（Thyristor） 全控型（导通与关断可控）器件：由关断到导通及由导通到关断的状态转换皆是可控的，也称为可关断器件。 IGBT和Power MOSFET;按照驱动信号的性质分类： ◆电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 按照驱动信号的波形（电力二极管除外 ）分类： ◆脉冲触发型 通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控制。 ◆电平控制型 必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 ;按照载流子参与导电的情况分类： ◆单极型器件 由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件 由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 由单极型器件和双极型器件集成混合而成， 也称混合型器件。 ;A;（1）二极管的基本原理——PN结的单向导电性 ◆当PN结外加正向电压（正向偏置）时，在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流，称为正向电流IF，这就是PN结的正向导通状态。 ◆当PN结外加反向电压时（反向偏置）时，反向偏置的PN结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截止状态。 ◆ PN结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这就叫反向击穿。 按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式 。 反向击穿发生时，采取了措施将反向电流限制在一定范围内，PN结仍可恢复原来的状态。否则PN结因过热而烧毁，这就是热击穿。; ◆PN结的电容效应称为结电容CJ，又称为微分电容。 按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD 。 势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主。 扩散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分。 结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作。;（2） 电力二极管的基本特性;;;（3） 电力二极管的主要参数;4）最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所 能承受的最高平均温度。 TJM通常在125--175?C范围之内。 5）反向恢复时间trr 6）浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 ;（4） 电力二极管的主要类型;2）快恢复二极管（Fa