2010多端口的微腔激光器的研制-开放课题申请书.docxVIP

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  • 2021-07-29 发布于天津
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2010多端口的微腔激光器的研制-开放课题申请书.docx

图2金届-绝缘层限制两端口输出回音壁模微腔的二维 FDTD^算模型 2)多端口输出半导体回音壁模微腔激光器的实验制作 根据以前工作的基础(实验制作正方形微腔激光器),我们设计的实验方案 如下: a、 器件设计:采用IC设计软件L-eidt设计器件的二维平面图形; b、 光刻板制作:采用电子束曝光技术制作; c、 掩膜层沉积:采用PECVD等离子体沉积台在外延片上沉积掩膜层 SiO2 或 Si3N4; d、 图形转移:采用光刻、湿影、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀把光 刻板上的器件图形转移至掩膜层; e、 外延片刻蚀:采用ICP干法刻蚀技术,刻蚀外延至衬底层; f、 平滑器件侧面:采用湿法腐蚀平滑器件的刻蚀面, 减小器件侧面的粗糙 度,后去除掩膜层; g、 沉积绝缘层:采用PECVD等离子体沉积台沉积一层 SiO2或Si3N4; h、 开电注入窗口 :采用光刻、湿影、ICP干法刻蚀等技术,去除器件顶端 的绝缘层,打开电注入窗口; i、 沉积p-型电极:采用磁控溅射大面积沉积 Ti/Au或Au或Ag作为p-型 电极; j、 衬底减薄:采用研磨的方法,使衬底减薄至 100 pm附近; k、 沉积n-型电极:Au-Ge-Ni等。 图2金届-绝缘层限制两端口输出回音壁模微腔的二维 FDTD^算模型 2)多端口输出半导体回音壁模微腔激光器的实验制作 根据以前工作的基础(实验制作正方形微腔

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