微下降晶体生长系统招标参数中文版.docVIP

微下降晶体生长系统招标参数 晶体生长炉基本参数： 炉子最高工作温度可达到220０℃，可用来生长直径在０。5毫米至6毫米范围内的氧化物单晶光纤. 炉子腔体尺寸:直径为1００mm，高为50０　ｍm,带水冷系统． 腔体真空度可达到0．01mbar,可充入惰性气体。 晶杆微拉行程:600 mｍ。 晶杆拉速：慢速运转模式时为0.01 — 100　ｍm／小时,快速运转模式时为０ － １0０ ｍｍ／分钟. 配带晶体生长控制软件。 配置ＣCD观察系统. 中频电源基本参数： 输出功率为２0kW，工作频率在 ５ – 15　kHz之间，噪音5５dB,控制方式为电流、电压、功率三个可选的模式；电源为3８0V /3相电,电源电压稳定性为＋6/—１0%,电源频率为 50Hz或60Hz。 安装,调试和培训 负责进行安装，调试和培训. 培训包括如何在两种情况下使用炉子、如何设置生长晶体所需的所有参数和如何进行维修和故障排除. 售后服务 两年的保修期内对任何有缺陷的部件或者非失误操作导致损坏的组件进行免费保修。 具体配置情况： 1／ 晶体生长控制装置 用同一个发动机来控制所有的转速范围，而且从一个转速范围调整到另一个转速范围时不需要做任何的硬件改装，此操作完全为电子操控.直接驱动转换单元,无齿轮技术，能够使发动机总是在很低的转速上运行。所以转换单元的期望寿命很长,，保证生长控制装置长60０mm。 —直接驱动，无齿轮