电力电子技术试题20套及答案.docx

考试试卷（1）卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 电子技术包括 和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和散字电子技术就属 于前者。 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 状态。当器件的工作頻率较高时， 损耗会成为主要的损耗。 在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 _ .当它为常数时的调制方式称为 调制。在逆变电路的输出频率围划分成若干频段，每个频段裁波頻率与调制信号频率之比为桓 定的调制方式称为—分段同步 调制。 4、面积等效原理指的是，—冲量 相等而—形状 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 ■在GTR.GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是 M0SFET_,单管输出功率最大的是_GT0_, 应用最为广泛的是_IGBT—。 6、 设三相电源的相电压为鳥，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即 ,其承受的最大正向电压 为 o 逆变电路的负載如果搂到电源，则称为 逆变，如果接到负栽，则称为 逆变。 ■如下图，指出单相半桥电压型逆交电路工作过程中各时间段电流流经的通路（用V1.VD1.V2.VD2表示）。 b) 二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每題1分，共14分） 单相桥式PWV逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电圧的正半周是（B ） A、 VI与V4导通，V2与V3关断 VI常通，V2常断，V3与V4交替通断 VI与V4关断，V2与V3导通 VI常断，V2常通，V3与V4交替通断 .对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（C A、 晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 闸管的导通角小于180度 B、 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常 工作 C、 晶闸管的触发角小于电路的功寧因素角正常工作并达到穗态时.晶闸管的导通角为180 度 D、 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示.在tl\2时间段，有（ ，晶 闸管导通。 4、对于单相交交变频电路如下图，在tPt2时间段，P组晶闸管变流装置与N纸晶闸管变流表置 的工作状态是（ ） A、P组阻断，N组整流 B. P组阻断，N组逆变 C, 坦阻断，P组整流 D, N组阻断.P组逆变 5,电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的围是（DA、 30° ?150B、 0° ?120°C、 15° ?125°D 5,电阻性负载三相半波可控整流电路中, 控制角的围是（D A、 30° ?150 B、 0° ?120° C、 15° ?125° D、 0° ?150° 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A,加快功率晶体管的开通 B,延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D.保护器件 7、直流斩波电路是一种（C ）交换电路。 A, AC/AC B、 DC/AC C. DC/DC D. AC/DC 8、为限制劝率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常釆用（B A. du/dt抑制电路B、抗饱和电路C. di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A A,减小至维持电流以下 B.祓小至撃住电流以下 C,减小至门极触发电流以下 D,减小至5A以下 10. IGBT是一个复合型的器件，它是 B, MOSFET 驱动的 GTRD. MOSFET 驱动的 GT0M GTR 驱动的 MOSFET B, MOSFET 驱动的 GTR D. MOSFET 驱动的 GT0 C. MOSFET驱动的晶闸管 三，简答题（共3小题，22分） 1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分） 2、电压型逆变电路的主要特点是什么？ （8分） 图樂次靖m田用Y弊3） ° （。09￡叫丁\j7 ° （。09￡ 叫丁 \j7 W H攻律聲咨田也》￥堀障扣厂毋 m 导障収口毋辛（Z）劣次会薛用THIS 単案协串回’出墉隧何Z1孕丿丁丹隧林卩辛辛（【）。当坦El样衆溜与塩用、z 引用宰tel *0- *3+ F- ?。+ ,n- nn+ 引用制用至 91A S1A I1A ￡1A Z丄A UA 晶 W 皆 （邪渺批 幫存嫌8甲昴蚤）。刃薛不回风易固皆券験 耍坦囹丄眸?举導卜’OIT/A僕峯馨毋用當引引夺回。制用案轉峻針（。0￡於妙身 衆）鸟部義整彰蜜。7彭引中厕二鬱引堇夺回°以専華姓至渠与粟聋率李蓋’常*御 義果靄醇晶W.Y田米 牌（1普箜券印銘引单骤蘇制回至’卑咨剽厠’弊爵寺帥三、【 （8成并‘考我蜡智国W 2并）蜡图點、国 （5）闰書钥衡￥匝旅敬单咨15桩地而至