常用半导体器件基本知识.pptxVIP

本资料来源;Chapter 4;主要内容; 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，即根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;§ 4.1 半导体的基本知识与PN结;一、 半导体的基本知识;本征激发;2. N 型半导体和 P 型半导体;二、 PN结; PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。;§ 4.2 半导体二极管及其应用电路;3、平面型二极管;; 当反向电压增大至U(BR)时，反向电流将突然增大。这种现象称为击穿，二极管失去单向导电性。;三、 主要参数;四、 二极管的电路模型;五、 二极管应用电路;2. 限幅电路;例4.1;六、 特殊二极管;; 电阻的作用: ?起限流作用，以保护稳压管； ?当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。;正常稳压时 UO =UZ;2.发光二极管;3.光电二极管;§ 4.3 双极型三极管及其特性参数;一、双极型三极管;1. 三极管的结构与符号;按结构可分为：NPN型和PNP型。;发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。;三极管内部载流子的运动规律;;IB/mA;NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 UC UB UE;例4.2;分析： 1）工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VCVBVE， PNP型有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。 2）硅管|UBE|=0.6~0.8V，锗管 |UBE|=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。 3）余下一电极为集电极。 4）集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。;（c）PNP型硅管，①-集电极，②-基极，③-发射极;输入特性曲线;输出特性曲线;(3) 饱和区; 管型;例4.3; （a） （b） （c） （d） ;（e）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。;4.三极管的主要参数;（2）极间反向电流;（3）极限参数;3）集电极最大允许功率损耗PCM;5. 三极管的其它形式;2）光电三极管和光电耦合器;4.4 场效应管及其放大电路; 场效应管（Fiedl Effect Transistor——FET）是利用电场效应来控制的有源器件，它不仅兼有一般半导体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点，还具有输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω）、噪声系数低、热稳定性好、工作频率高、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。在近代大规模和超大规模集成电路以及微波毫米波电路中得到广泛应用。 按结构，场效应管可分两大类： 结型场效应管（JFET） 绝缘栅型场效应管（IGFET）; 绝缘栅型场效应管中应用最多的是以二氧化硅作为金属（铝）栅极和半导体之间绝缘层 ，又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor FET)。;结构;?栅源电压vGS的控制作用——形成导电沟道;?漏源电压vDS对漏极电流iD的控制作用;?沟道预夹断后， vDS继续增大，夹断点向源极方向移动， iD略有增大。;3）特性曲线;;2、 场效应三极管的参数;6）最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= vDS iD决定，与双极型三极管的PCM相当。;;;使用注意事项： （1）绝缘栅场效应管不能用万用表检查，必须用测试仪。使用四引线的场效应管，其衬底引线必须接地。 （2）保存场效应管时应将各电极短路，以免外电场作用使管子损坏。焊接时，电烙铁必须有外接地线，以防止烙铁带电而损坏管子。焊接绝缘栅场效应管时，要按源极-漏极-栅极的顺序焊接，并且最好断电后进行焊接。 ;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。7月-217月-21Sunday, July 18, 2021 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。03:40:2803:40:2803:407/