光电探测器课件.ppt

半导体光电器件的选择 ? ? 特性参数比较 光电变换的线性 动态范围 光电二极管 ( 包括 PIN 与雪崩管 ) 的线性最好，其次依次为零伏反 向偏置状态的光电池、光电三级管等。光敏电阻的线性最差。 ? 动态范围分为线性和非线性动态范围。线性动态范围上，反向 偏置状态的光电二极管动态范围最好，光电池、光电三极管较 好，光敏电阻最差。光敏电阻的非线性动态范围要比其他光电 器件宽 ? 灵敏度 光敏电阻的灵敏度最高，其他依次为雪崩光电二极管、光电三 极管，光电二极管的灵敏度最低。 PPT 课件 # 96 半导体光电器件的选择 ? ? 特性参数的比较 时间响应 PIN 与雪崩光电二极管的时间响应最快，其他依次为光电三极管 和光电池，最慢的是光敏电阻。 ? 光谱响应 光谱响应主要与器件的具体材料有关，一般来说光敏电阻族的 光谱响应要比光生伏特器件的光谱响应范围宽。尤其在红外波 段光敏电阻的光谱响应更为突出 PPT 课件 # 97 半导体光电器件的选择 ? ? 特性参数的比较 暗电流与噪声 光电二极管的暗电流最低，光敏电阻、光电三极管和光电池的 暗电流较大，尤其是放大倍率大的多极复合光电三极管及大面 积的光电池的暗电流更大。 ? 供电电源与应用的灵活性 光敏电阻没有极性，可用于交、直流电源。光电池不须外加电 源就能进行光电变换，但线性很差，而其他的光生伏特器件必 须在直流偏置电源下工作。因此，光电池的应用灵活性较高， 光敏电阻与其他光生伏特器件的应用灵活性较差，但它们都适 用于低压下工作。 PPT 课件 # 98 半导体光电器件的选择 ? 选择原则 １）光电器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上实现匹 配。 ２）光电器件的光电转换特性或动态范围必须与光信号的入射辐 射能量相匹配。 ３）光电器件的时间响应特性必须与光信号的调制形式、信号频 率及波形相匹配，以确保变换后的信号不产生频率失真引起的 输出波形失真。 ４）光电器件与变换电路必须与后面的应用电路的输入阻抗良好 地匹配，以保证具有足够的变换系数、线性范围、信噪比及快 速的动态响应等。 ５）为保证期间长期工作时的可靠性，必须注意选择器件的参数 和使用环境。 # 99 PPT 课件 引言 ? 光电探测器的性能参数 ? 光电探测器的噪声 ? 半导体光电探测器 ? 光电导探测器 ? 光伏探测器 光电池 光电二极管 光电三级管 ? 半导体器件的选择 ? ? CCD 探测器 PPT 课件 100 CCD 探测器阵列 ? 产品图示 PPT 课件 # 101 CCD 阵列探测器 ? CCD(Charge Coupled Device) —电荷耦合器件 应用于 信号处理、数字存贮、图像传感等领域的滤波、存贮器、 成像系统的光敏器件 。 其中图像传感是其应用较为成功的应用领域，这取决于它与传 统的真空成像器件相比具有 光谱响应宽（从 x 射线到红外线）、 灵敏度高、线性好、动态范围大、体积小、重量轻、功耗低等 优点。 按照其光敏单元的排列方式不同可分为 线阵列和面阵列 两类。 PPT 课件 # 102 CCD 结构 ? CCD 的基本单元是 MOS 电容器。 图 4.3.1 MOS 电容的结构 1 ．金属 2 ．绝缘层 SiO 2 PPT 课件 # 103 CCD 结构 ? ? ? ? ? ? CCD 基本结构包括 转移电极结构 转移沟道结构 信号输入结构 信号输出结构 信号检测结构 PPT 课件 # 104 CCD 结构 ? 转移电极结构 CCD 的转移电极相数有二相、三相和四相等。 ? 二相 CCD 驱动脉冲比较简单，信号电荷转移时间比较短，芯片 面积也较小，但容纳的信号电荷量小。 ? 三相 CCD 较适用于单层金属化电极结构，以保证电荷的定向转 移。 ? 四相 CCD 驱动电路较为复杂，一般适合于时钟频率很高的场合。 PPT 课件 # 105 CCD 结构 ? 转移沟道 转移沟道分为表面沟道和体内沟道。 ? 表面沟道 的优点是 信号电荷离界面较近，在相同栅压下势阱能 容纳的电荷较多 ；但由于信号电荷只能贴近界面的极薄衬底层 内运动，而界面处存在陷阱，从而降低了转