电位移-有介质时的高斯定理.pptxVIP

电位移-有介质时的高斯定理 （均匀各相同性介质） + + + + + + - - - - - - + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - （均匀介质） 解 解（1） （2） 解（1） （２）由上题可知 （３）由（１）可知 例 4 如图，在一电荷体密度为的均匀带电介质球体中，挖出一个以O’为球心的球状小空腔。试证：球形空腔内的电场是均匀电场，其表达式为： 证明：用填补法证明。 介质球在空腔内任一点的场为： P点的合场强： 电场强度可看做体电荷密度为的介质球体和一个空腔处体电荷密度为- 的球体产生的场的叠加。 填补的介质球-在空腔内任一点的场为： 例5 A、B是靠得很近的两块平行的大金属平板，间距为d，面积为S。A、B两板分别带电QA和QB，并且QAQB：证明两板内侧电荷密度符号相反，数值相等；外侧的电荷密度符号相同，数值相等。 证明： A B 静电平衡导体内部场强为零 静电场的边界条件 研究电介质界面两侧 的关系及 的关系 的法向分量连续 的切向分量连续 · 电位移矢量：法向分量连续；切向分量突变。 电场强度： 切向分量连续；法向分量突变。