Si、Ge和GaAs的能带图及其相关特性.pdf

Si 、Ge 和 GaAs 的能带图及其相关特性（比较） （为什么Si 、Ge 和 GaAs 的价带结构大致相同？为什么 GaAs 器件的最高工 作温度较高、 Si 的其次、 Ge 的最低？为什么 Si 、Ge 的电子有效质量有两个不 同数值，而 GaAs 却只有一个有效质量？为什么 GaAs 存在微分负阻效应，而 Si、Ge 则否？为什么 Si、Ge-p-n 结能够检测光 、而不能发出光？为什么 GaAs-p-n 结既能够检测光、又能够发出光？） Xie Meng-xian. ( 电子科大，成都市 ) 晶体电子处于能带状态，这是晶格周期性势场要求的结果。晶体电子的能量 E 与波矢 k 的关系，显然要比自由电子的抛物线关系复杂得多，但又不同于束缚 电子的量子化能级关系；并且能量大小还与波矢的方向（晶向）有关。这种复杂 的关系需要通过仔细、繁复地求解具体晶体的电子 Schr?dinger 方程才能得到。 把晶体电子的能量 E 与波矢 k 的关系，在 Brillouin 区中沿着各个方向描画 出来，就得到所谓能带图。图 1、图 2 和图 3 分别示出了 Si 、Ge 和 GaAs 晶体 的能带图，能带图中各个状态的代表符号就都是按照晶体的对称性来标识的；因 为晶体电子的状态要受到晶格周期性势场的限制 ，故晶体电子的状态就必须满足 相应的晶体对称性的要求。 图 1 图 2 图 3 （1）共同点： Si 、Ge 和 GaAs 是最重要的几种半导体，它们在晶体结构上很相似，因此 它们的电子能带也具有许多共同之处，例如： ①都存在一定大小的 禁带宽度 ，并且禁带宽度都具有负的温度系数。这是由 于它们的能带形成原理基本上是相同的（与价电子的 sp 轨道杂化有关）。 ②价带结构基本上相同，价带顶都位于 Brillouin 区中心，并且该状态都是三 度简并的态（ Γ’25或者 Γ15状态）。这是由于这些半导体的晶格基本上都是由 4 个共价键构成的缘故（虽然 GaAs 的价键带有一些离子键性质） 。显然，价带顶 附近的能带曲线偏离抛物线较远，则价带空穴也就与自由载流子相差较大。 ③在计入电子自旋后，价带顶能带都将一分为二：出现一个二度简并的价带 顶能带（ Γ+8态或 Γ8态）和一个能量较低一些的非简并能带 —— 分裂带（ Γ+7 态或 Γ7态）。这是由于自旋 -轨道耦合作用的结果。在价带顶简并的两个能带， 它们的曲率半径不同，则其中空穴的有效质量也就不同，较高能量的称为 重空穴 带 ，较低能量的称为 轻空穴带 。 ④在 0K 时，导带中完全是空着的（即其中没有电子） ，同时价带中填满了 价电子 —— 是满带，因此这时没有载流子，不会导电，即与绝缘体相同。但是在 0K 以上时，满带中的一些价电子可以被热激发（ 本征激发 ）到导带，从而产生 出载流子 —— 导带电子和价带空穴；温度越高，被热激发而成为载流子的数目就 越多，因此就呈现出所有半导体的共同性质 ：电导率随着温度的升高而很快增大 。 （2 ）不同点： Si 、Ge 和 GaAs 由于其原子性质和价键性质的不同（ Si 和 Ge 是完全的共 价晶体，而 GaAs 晶体的价键带有约 30% 的离子键性质），因此它们的能带也具 有若干重要的差异，这主要是表现在禁带宽度和导带结构上的不同： ①由于