第二章RoF技术介绍.docxVIP

* * * * * * * * 第 2 章 ROF ( RADIO OVER FIBER )技术介绍 在本章中，描述了 RoF链路的基本技术 上变频和下变频技术，这将成为接下 来的几章的背景。2.1节中研究了 RoF链路中的关键设备，和影响一个链路性能的参数。 2.2节中描述了在 RoF下行链路中实现上变频到射频(Radio Frequency ，RF)频率的 光调制器的使用。相似地，2.3节中描述了在RoF上行链路中的调制器的使用。 光设备 RoF 链路从中心站(Central Station , CS)向基站(Base Station ，BS)传输无 线电信号，而相反方向则使用光纤。本论文涉及在 CS端实现光生数G的无线信号。无 线信号的生成需要两个主要模块：光源的数据调制和上变频到需要的 RF载波频率。在 简单的配置中，像半导体激光器一样的光源也能通过简单地调制当前的激光器电流来被 用作数据调制，这种调制方式也被称作直接调制激光器( Directly Modulati ng Laser : DML )。对于RF上变频，使用一个外调制器和本震来调制光信号。充当外部调制器的 典型代表是马赫增德尔调制器( Mach-Zehnder Modulator ，MZM )或者电吸收调制 器(Electroabsorption Modulator ，EAM )。光生无线信号经过单模光纤 (Single Mode Fiber，SMF ) 1传输到BS的天线，在这里光信号在一个 PD中转换成电信号，再辐射 到空气中去。在上行链路， BS天线接收到的无线信号通过一个外调制器被调制到一个 光载波上，然后用 SMF传输到CS来实现解调。总之，建立 RoF链路的关键部分是： 光源、外调制器、光电二极管。在接下来的几节中，将描述每个影响 RoF链路性能的 设备参数。 * * * * 2.6V 2.6 V * * * * 2.1.1直接调制激光器 直接调制一个激光器的能力对 RoF链路的来说是一个很有吸引力的高性价比 (cost-effective )解决方案。DML由于在大都市光通信系统解决方案中的使用而被广 泛研究[78][79]。对于DML的限制因素是它的调制带宽、消光比、啁啾和线性度，但 是对于基带数据调制，这些参数并不会在很大程度上影响一个典型的 RoF链路的性能 DML的输出功率可以写成： 上I2 上I 2 Ib 2.1 这里d是激光微分量子效率Ib 这里d是激光微分量子效率 Ib、Im和1也是偏置电流，调制电流和阈值电流。激光 器的光场可以写成: E(t) 2Pout exp j t 2.2 图2.1典型的两臂驱动MZM方案 在直接调制半导体激光器中， 当由于调制电流的变化而使载流子密度 (carrier den sity ) 发生变化时，折射率在活动范围中的变化所导致的频率偏差也被称作频率啁啾 ［80］。啁 啾在光通信系统中的影响是由于单模光纤中的色散而导致的频谱展宽， 这将限制总的传 输距离［81］。由啁啾引入的频率偏差和相移可以被表示为［82］: 输距离［81］。由啁啾引入的频率偏差 和相移可以被表示为［82］: (t) l 1 dFOut 4 Pout dt 2.3 (t)寸叽)Pout 2.4 这里L 这里L是Henry线宽增强因子, 是绝热啁啾系数。根据式 2.2和式2.4，总的场强 可以写成: 1 j L E(t) Pout2 expj t L 2.5 L 这里， 2.1.2马赫增德尔调制器 在RoF系统中最普遍的调制器是 MZM，它是基于 MZ干涉结构的。在 MZM 中, 一个电压在两个干涉臂之间引起相移并且相移量将决定是产生相长还是相消干涉。 这个 干涉导致了外加电压对光信号的强度调制。 图2.1显示了 MZM的机制。电压引入的光 的相移可以被表示为： (t) MZV(t), (t) MZV(t), MZ 这里V(t)是外加电压，V是产生 相移所需的电压。参数 V是调制器的内部特性，它 取决于不同的设计参数和使用的材料。考虑具有有限消光比 的不对称MZM，MZM 输出的光场可以写成： E°ut (t)Em exp j( t)2expji(t)expj E°ut (t) Em exp j( t) 2 expj i(t) expj i(t) 2 2 cos mz Vi(t) V2(t) exp j mz (t) 2?7 这里与MZM消光比相关的参数是 1 1 ［83］。对于不同的消光比，MZM 的传递函数根据式2.7绘制在图2.2中。 式2.7中的Mz(t)是外加电压的变化所对应的瞬时相移，它可以表示为: MZtan1色山 MZ tan1色山 cos(1) sin( 2) cos( 2) 2.8 由于 -1，比如消光比