半导体材料与工艺之晶体生长原理.pptx

半导体材料制备概述晶体生长原理晶体生长作为一种相变过程大体分为3类: (1)固相生长：即物态没有变化，仅有晶格结构发生变化的相变过程。譬如，离子注入后变成非晶态的注入层在退火过程中再结晶的过程，具有两种以上同质异构体的晶体在适当条件下的晶型转变过程等等。(2)液相生长:伴随在液-固相变过程中的结晶过程，包括从溶液中生长晶体(通常是薄层)的液相外延过程和从熔体中生长晶体的正常凝固过程和区域熔炼过程。例如。GaAs衬底上的GaAlAs液相外延和用直拉法生长硅单晶等。 (3)气相生长:伴随在气-固相变过程中的结晶过程，包括晶体薄膜的气相外延生长过程和利用升华法生长难熔晶体的过程。例如，SiH4生长硅薄膜的外延过程和碳化硅块状晶体的生长过程等。Chapter Outline 8.1.1 结晶的条件和一般过程8. 1.2 晶核的形成(Nucleation) 8. 1.3 晶体的长大(Growth)8. 1.4 晶粒大小及其控制物质从液态到固态的转变过程，叫做凝固。凝固主要是指物质状态的变化，并不考虑固态的结构。只有物质从液态转变为具有晶体结构的固态的过程，才叫做结晶。广义的结晶概念，是指物质从一种原子排列状态过渡到另一种规则排列状态的转变过程。它包括液态的结晶和固态金属（晶态或非晶态）向另一种晶体结构的转变。前者称为一次结晶，后者称为二次结晶或重结晶。它们都属相变过程。Section 8.1.1 结晶的条件和一般过程8.1.1.1冷却曲线与过冷(undercooling)现象热分析法通过测定温度与时间的关系—冷却曲线分析。在结晶过程中，由于结晶潜热的释放，补充了甚至超过了容器的散热量，从而在冷却曲线上出现温度下降缓慢，或保持不变甚至还有回升的现。由此确定结晶开始和结晶终了的温度和时间。金属熔点或凝固点，就是结晶的理论温度Tm。实际开始结晶的温度Tn，总是低于Tm，称为过冷现象。过冷度ΔT=Tm-Tn 。冷却速度越大。则过冷度越大，即实际结晶温度越低。过冷度有一最小的临界过冷度，若过冷度小于此值结晶过程就不能进行。Figure (a) Cooling curve for a pure metal that has not been well inoculated. Liquid cools as specific heat is removed (betweens points A and B). Undercooling is thus necessary (between points B and C). As the nucleation begins (point C), latent heat of fusion is released causing an increase in the temperature of the liquid. This process is known as recalescence (point C to point D). Metal continues to solidify at a constant temperature (T melting). At point E, solidification is complete. Solid casting continues to cool from the point. (b) Cooling curve for a well inoculated, but otherwise pure metal. No undercooling is needed. Recalescence is not observed. Solidification begins at the melting temperature8.1.1.2 结晶的热力学条件等温等压下，系统总是从自由能较高的状态向自由能较低的状态自发转变——最小自由能原理液态和固态的体积自由能，都随温度的升高而降低。GL随温度的变化曲线较陡，GS随温度的变化曲线较缓。液态和固态自由能相等时所对应的温度 ，即为理论结晶温度Tm 。液态和固态的体积自由能随温度的变化曲线8.1.1.2 结晶的热力学条件当T=Tm时, GL=GS ，液态并无转变为固态的自发趋势。只有当T Tm时，GS GL ，才有可能使自由能降低，从而自发结晶。液相和固相的体积自由能之差，构成了结晶的驱动力。液相和固相的界面能，构成了结晶的阻力。只有依靠体积自由能的降低来补充界面能的升高，结晶过程才能进行。液、固相的体积自由能差ΔGv= GS-GL 。ΔGv0就是金属结晶的热力学条件。然而，它并不是结晶的充分条件，因为还要考虑结晶的阻力。液相生长(从熔体中生长)对于从熔体中生长晶体的固-液两相系统，其温度为T时