第二章电力电子器件及应用.pptxVIP

电 力 电 子 技 术;第2章 电力电子器件及应用;9;2.1 电力电子器件的特点和分类;■电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。;2.电力电子器件的分类;2.1 电力电子器件的特点和分类;2.1 电力电子器件的特点和分类; 2.2 电力电子器件基础;■PN结的电容效应 ◆称为结电容CJ，又称为微分电容 ◆按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD ?势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主。 ?扩散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分。 ◆结电容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作。;2．2．2电力电子器件的封装;2．3 功率二极管;A;2．3 功率二极管;2.3.1 结型功率二极管基本结构和工作原理;2．3．2 结型功率二极管的基本特性;2．3．2 结型功率二极管的基本特性;;2．3．2 结型功率二极管的基本特性;2．3．3 快速功率二极管;2．3．3 快速功率二极管;2．3．4 肖特基势垒二极管;2．3．5 功率二极管的主要参数;2．3．5 功率二极管的主要参数;2．3．5 功率二极管的主要参数;2．3．6 功率二极管的应用特点;2．3．6 功率二极管的应用特点;2.4 半控型器件——晶闸管;2.4 半控器件—晶闸管·引言;2.4.1 基本结构与工作原理;图2-10 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 ;;2.4.1 基本结构与工作原理;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.2 晶闸管特性及主要参数;2.4.3 晶闸管的派生器件及应用;2.4.3 晶闸管的派生器件及应用;2.4.3 晶闸管的派生器件及应用;2.4.3 晶闸管的派生器件及应用;2.4.4 晶闸管的触发;2.4.4 晶闸管的触发;2.4.5 晶闸管的应用特点;2.5 门极可关断晶闸管;2.5.1 基本结构和工作原理;2.5.1 基本结构和工作原理;2.5.1 基本结构和工作原理;2.5.2 可关断???闸管特性;2.5.3 可关断晶闸管的驱动;2.5.3 可关断晶闸管的驱动;2.5.4 可关断晶闸管的应用特点;练习;2.6 电力晶体管;◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。 ;2.6.1 基本结构和工作原理;2.6.2 GTR特性及主要参数;;2.6.2 GTR特性及主要参数;2.6.2 GTR特性及主要参数;2.6.3 电力晶体管的驱动;2.7 功率场效应晶体管;2.7.1 基本结构和工作原理;2.7.1 基本结构和工作原理;2.7.1 基本结构和工作原理;2.7.2 功率MOSFET特性及主要参数;2.7.2 功率MOSFET特性及主要参数;; 当驱动脉冲电压上升沿到来时，其栅源电容CGS开始其充电过程，则栅极电压uGS呈指数曲线上升，如图2-29b)所示。当uGS上升到开启电压UT时，MOSFET的导电沟道开始形成，从而产生漏极电流iD。从驱动脉冲电压前沿到iD达到稳态电流的10%之间的时间段称为开通延迟时间td(on)。此后，iD随uGS的上升而上升。从iD上升到iD达到其稳态值的90%这段时间称为电流上升时间tri，此时uGS上升到功率MOSFET进入正向电阻区的栅压值UGSP。 ; 当uGS上升到UGSP时，功率MOSFET的漏、源极电压uDS开始下降，此时栅漏电容CGD开始通过漏、源极放电，从而抑制了CGS充电过程uGS的增长，使uGS出现一段平台波形。从uDS开始下降到MOSFET进入稳态导通时，这一时间段为电压下降时间tfv。此后uGS继续升高直至达到稳态。可见，功率MOSFET 的开通时间ton是开通延迟时间td(on)、电流上升时间tri与电压下降时间tfv之和，即ton=td(on)+tri+tfv。 ; 当驱动脉冲电压下降沿到来时，栅源电容CGS和栅漏电容CGD通过栅极电阻放电，栅极电压uGS按指数曲线下降，当下降到