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半导体ESD模型和测试标准会计学1、ESD模型分类因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类:(1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)(2) 机器放电模式 (Machine Model, MM)(3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM)(4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM)另外还有两个测试模型：(5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式(6)对于研究设计用的TLP模型牛牛文库文档分享人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图2.1-1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2.1-1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。 牛牛文库文档分享机器放电模式 (Machine Model, MM)有关于HBM的ESD已有工业测试的标准：图显示工业标