试验十电感耦合等离子体化学气相沉积法CCP制备硅基薄膜一.docxVIP

实脸十一、电感耦合等离子体化学气相沉积法(CCP)制备硅基薄膜 一、 引言 近年来，随着薄膜材料在高新技术领域的广泛应用，化学气象沉积法(CVD) 制备薄膜技术得到了K足的发展。有关这一沉积过程中的物理问题、薄膜形成过 程中的动力学机制以及薄膜为结构的特点一 I［都是材料科学界感兴趣的课题。 CVD技术最重要的特点就是薄膜样品可以在相对低的温度卜(典型的衬底温度 为3O0C或更低)成核、生长,其根本原或之?在于气氛中的载源气体可以有效 地减小系统动力学粘滞系数，提髙热导率，从而増大气相及衬底表血的扩散系数。 CVD技术叮广泛地应用「?外延、多晶及非晶材料的制备领域。由CVD技术 派生出很务貝有类似生氏机理的成膜技术，如低压CVD (LPCVD)、电容耦合 等离子体C\丁)(CCP-C\D),电感隅合等肉子体CVD (ICP?CVD)、热统CVD (HWCVD)、微波等离*体 CVD (MWCVD)、金屈有机物 C\T) (MOCXT)) 等等。不同成膜技术的工艺条件及所制备的材料物性也各不相同。 本实验介绍用电感耦合等离子体CVD (ICPW )技术制备高质林的硅果 薄膜。 二、 原理 电感耦合等离了体(ICP)在微电『器件制造工艺的深亚微米刻蚀、薄膜材 料制备等领域越来越受到重视。其基本原理域:等离子体山射频环形放电产生, 当电感线圏通过射频电流时，在真空室(放电管)中激发出交变的磁场，这个变 化的磁场乂感应出电场，气体中的电子从电磁场中获取能吊并电离，从而产生较 高密度的等离子体。 ICP可大致分为髙HUCP和低压ICP两种：前看是在大气圧强下点火，产生 等离子炬，其应用主要是在光谱分析领域；后者则是在较低压强下(1?lOOmTon) 产生放电.形成的等离子体中电子与高子温度相差较大，两者之冋处于卄热平衡 状态。 ICP具有以下特点： 较高的等离了?体密度° ICP的电广密度?般大「10” cm\远远髙「 传统的电容耦合等高子体源，与其他高密座等离f体源如电了冋旋共振等离「?体 源等相比较并不逊色。 设备结构简单。其他髙密度等离*体源需要冇较大的磁场线圏，设备 庞大昂貴，ICP则无需外加磁场，因此，设备成本低，是一种经济实用的低温髙 密度等离子体源。 较好的等离子体均匀性和离子通買方向选择性，较低和可控的离子能 量，能够独立控制离子能确和等离子体密度，易丁实现大面积和选拝刻蚀方向。 低气压下工作。由于可在较低气压(1-lOOmTorr)下产生高密度等离 子体，等离子体源中的高能果粒子对衬底的轰击损伤可大为减少。 ICP源是一个复杂的放电系统，由之产生的等离『体特征取决于诸多因素, 如放电机制、线圈儿何形状、放电容器的结构等。电感线圏的儿何结构对等离子 体均匀性冇显均影响。儿种典型的电感线圏装置如图1所示° (a)与(b)都属 于多圈电感类型,在实际应用中由于其本身较大的电感,有降低ICP E作效率.、 影响等离子体的均匀性以及放电稳定性等缺陷，使得加I：面枳不能再扩大。(c) 为内BE式单圏电感，单匝电感线圏貝有相对较好的等离子体径向均匀性，11无需 外加磁场，避免r使用磁场约束导致的对等离r体均匀性的破坏。 帽型螺旋线絶绿平而螺旋絞圏(a) (b)没没式葷匝线圏(c) 绝绿包度层 帽型螺旋线絶绿平而螺旋絞圏 (a) (b) 没没式葷匝线圏 (c) 绝绿包度层 图1儿种典型的电感线圈形状及耦合方式 一股地说，用电感耦合等离子体CVD技术制备的薄膜，其化学成分的变化 可以通过I：之条件来控制。由于不同的I.艺条件对等离子体组成的作用强度不 同,造成薄膜中的原子具有不同的键和形式,从而引起薄膜的结构、光学性质、 输运特性的口大星异。 三、实验装置 本试验釆用H主设计的内置式单岡电感耦合射频等离子体CVD （ICPW） 设备，该装置有下列部分组成： （1） 抽气系统 （2） 反应室 （3） 大功率振荡系统 （4） 阻抗匹配网络 （5） 气路控制系统 （6） 压强测屈及其控制系统 （7） 村底温度控制系统 图2 ICP9VD设备外形照片 (b) 四、实骑步骤 1、 衬底的洁洁处理衬底粘污程度将直接影响所沉积薄膜的质晶和薄膜与 衬底之间的附着力， 所以在沉积前必须对其进行彻底清洁处理。村底的清洁处理方法很多，井因衬底 材料不同而异。对单晶硅及玻璃衬底而言，可先用有机溶剂（丙桐、乙酬等）除 去油污，然后用浓硫酸煮沸一次，用去离子水冲洗干净后，再用浓硫酸煮一次， 最后用去离子水冲洗干冷并煮沸儿次后，烘干即可使用。 抽本底真空 （1）开总电源 （2〉将清洗过的衬底装在衬底板上,并推进真空室支架固定?降下真空罩, 打开反应室排气阀，用机械泉抽低抽貞?空. （3）打开真空测暈计,测量真空室的真空度,在真空度达到10 2Toit时,打 开气路