第二章线性电子线路.pptVIP

二、输出特性曲线 饱和区（ VBE?，VBC ? 0.4V , VCE0.3V ） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 IC不受IB控制，而受VCE影响。 VCE略增，IC显著增加。 输出特性曲线可划分为四个区域： 饱和区、放大区、截止区、击穿区。 IB0 IB4 IB1 IB3 IB2 放大区（ VBE? 0.7V, UCB0, VCE） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点 条件 发射结正偏 集电结反偏 VCE??曲线略上翘 具有正向受控作用 满足IC=? IB + ICEO 说明 IC /mA VCE /V 0 VA 上翘程度—取决于厄尔利电压VA 上翘原因—基区宽度调制效应（VCE?? IC略?） 将参变量IB改为VBE，并将不同VBE的各条输出曲线向负VCE方向延伸，它们将近似交于A点，对应的电压用VA表示，称为厄尔利电压。它的值可以表示曲线上翘的程度。基宽WB越大?调制效应对IC影响越小? 越大，上翘程度越小. （1）厄尔利电压 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程： ? （2） 与IC的关系（教材60） IC 0 ? 在IC一定范围内?? 近似为常数。 IC