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- 2021-08-14 发布于广东
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第二章双极型逻辑集成电路;学习要求;复习;双极型晶体管;三极管结构模型;载流子输运过程示意图;反向工作状态;晶体管的输入特性;三极管伏安特性;三极管工作状态总结;晶体管处于放大区的三个必要条件;集成晶体管逻辑电路发展状况;2.1 双极型逻辑集成电路中的寄生效应;集成晶体管与分立晶体管的区别;理想本征集成双极型晶体管;EM模型参数说明;(1)集成双极晶体管的有源寄生效应;NPN正向工作区和截止区的情况;NPN反向工作区的情况;采用掺金工艺和掩埋工艺;饱和区的情况;接着上面公式推导;N+掩埋层(2000浙江大学考研题);(2)集成双极晶体管的无源寄生效应;发射极串联电阻res;集电极串联电阻;集电极串联电阻;集电极串联电阻;减小rCS的方法;基区电阻rB;基区电阻rB;稳压器件输出端;集成NPN晶体管中的寄生电容;PN结势垒电容Cj;扩散电容CD;2.1.3 硼扩电阻器的结构与寄生效应;逻辑电路设计;缺点;2.2 TTL逻辑电路 ;2.2.1 一般的TTL与非门;标准SN54/74TTL电路;四管单元TTL与非门电路分析;续(线性区);续;四管与非门电路;作业评讲;超大规模集成电路优点;CMOS和Bipolar;四管单元与非门的静态参数和瞬态参数;噪声容限和延迟时间;例题;六管单元与非门的电压传输特性;六管单元与非门的电压传输特性;直流分析
电压传输特性
静态参数
瞬态特性;2.4
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