模拟电子技术基础教案.docx

模 拟 电 子 技 术 基 础 本科生适用 河北工业大学 电气与自动化学院电工电子中心 （3 学时）绪论 第一章 半导体器件基础知识 （8 学时） 半导体基础知识 N 型、P 型、PN 结 （1 学时）半导体二极管 结构、特性曲线、参数 （3 学时）半导体三极管 结构、特性曲线、参数 （1 学时）场效应管 结构、特性及特点 主要知识要点： 第 1 章 常用半导体器件 半导体基础知识： 1． 本征半导体：本征激发和复合；两种载流子（空穴和电子）。 2． 掺杂半导体：P 型半导体及 N 型半导体；多子；少子。 3． PN 结：扩散与漂移；空间电荷区，电流指数方程；势垒电容；扩散电容。半导体二极管： 1． 单向导电性。 2． 直流模型；微变等效模型。 3． 稳压二极管半导体三极管： 1．结构，特性曲线，工作区，常用参数。场效应管： 1． 结型场效应管：沟道；夹断；输出特性，转移特性。 2． 绝缘栅型场效应管：增强型，耗尽型；反型层，输出特性；转移特性。 半导体基础知识 本征半导体（Intrinsic Semiconductor） 一、半导体 (Semiconductor) 导体（低价元素）————半导体————绝缘体（高价元素） 金、银、铜、铁等————硅、锗。镓等————橡胶、惰性气体等Silicon, germanium, gallium, arsenide 二、本征半导体的晶体结构 本征： 本质，纯净，洁净 共价键 Covalent bond 三、本征半导体的两种载流子  共价键结构平面示意图 自由电子（free electron）空穴（hole） 电子电流和空穴电流；载流子（carrier） 四、本征半导体的载流子浓度 本征激发现象：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象； 复合现象： 半导体中自由电子和空穴相遇结合的现象。 本征激发与复合达到动态平衡（一定温度下） EGO ni ? pi ? K1T3 / 2e 2kT 式中：ni、pi 分别为自由电子和空穴的浓度，K1 为与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量，T 为热力学温度，k 为玻尔兹曼常数，EGO 为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度。 本征半导体热敏，光敏。 杂质半导体(Extrinsic Semiconductor) 一、N 型半导体(N-type semiconductor) 本征半导体掺入五价元素（锑 antimony， 磷 phosphorus，砷 arsenid）形成 N 型半导体。杂质半导体载流子成分：原有自由电子，原有空穴，掺杂自由电子。由于掺杂后自由电子数量增加使得复合机会相应增加，故掺杂后 N 型半导体中自由电子数量较掺杂前有所减少。 自由电子： 多数载流子，简称多子（majority carrier） 空穴： 少数载流子，简称少子 (minority carrier) 五价掺杂元素： 施主杂质 （donor impurity） 例：掺杂浓度 5?1016/cm3 硅原子密度：4.96?1022/cm3 T=300K 时，本征激发浓度约 1.43?1010/cm3 二、P 型半导体(P-type semiconductor) 掺入三价元素（硼 boron， 镓 gallium， 铟 indium）形成 P 型半导体 载流子成分： 空穴：多数载流子电子：少数载流子 三价掺杂元素： 受主杂质( acceptor impurity) PN 结(PN Junction) 一、 PN 结的形成 形成过程： 扩散运动：由于浓度差别而引起的载流子由浓度高区向浓度低区定向运动的现象。漂移运动：在电场作用下引起载流子定向运动的现象。 扩散形成空间电荷区（space charge region） 多子扩散(diffussion)、少子漂移-(drift) 扩散和漂移达到动态平衡后形成 PN 结内电场有 N 区指向 P 区 空间电荷区又称耗尽层（depletion layer） 内电场方向 二、 PN 结的单向导电性 1． 导通状态 PN 结加正向电压，PN 结内电场被削弱、PN 结变薄，多数载流子扩散运动增请，扩散电流增加。 漂移电流减小。 2． 截止状态 PN 结加反向电压，PN 结内电场被增强，PN 结变宽，多数载流子扩散运动被减若，少数载流子漂移运动增强，形成反向电流。反向电流非常小，近似分析时可忽略，认为此时 PN 结处于截止不导通状态。 漂移电流受温度影响大。而扩散电流不受温度影响。三、 PN 结的电流方程 由理论分析知，PN 结所加电压与流过它的电流关系如下： 四、 PN 结的伏安特性 U I ? IS (e UT ?1) ： 常温下（T=300K）UT=26mV 正向特性： 指数规律反向特性： 反向阻断击穿