PVD工艺最新分析和总结.pdfVIP

仅供个人参考 For personal use only in study and research; not for commercial use 第六章 PVD 工序 6.1 PVD 工艺的目的 溅射法利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的 物质做成的靶电极。在离子能量合适的情况下，入射离子在与靶表面原子的碰撞过程中将后者 溅射出来。这些被溅射出来的原子带有一定的动能，并且会沿着一定的方向射向衬底——玻璃 基板，从而沉积在基板表面形成薄膜。 在上述薄膜沉积的过程中， 离子的产生过程与等离子体的产生或气体的放电现象密切相关。 6.2 PVD 工艺的基本原理 6.2.1 气体放电现象 在介绍 PVD工艺原理之前，首先简单讨论一下气体放电过程。设有如下图那样的一个直流 气体放电体系。 开始： 电极间无电流通过，气体原子多处于中性，只有少量的电离粒子在电场作用下定向 运动，形成极微弱的电流。 随电压升高： 电离粒子的运动速度加快，则电流随电压而上升，当粒子的速度达饱和时， 电流也达到一个饱和值，不再增加（见第一个垂线段） ； 汤生放电： 电压继续升高， 离子与阴极靶材料之间、 电子与气体分子之间的碰撞频繁起来， 同时外电路使电子和离子的能量也增加了。 离子撞击阴极产生二次电子， 参与与气体分子碰撞， 并使气体分子继续电离，产生新的离子和电子。这时，放电电流迅速增加，但电压变化不大， 这一放电阶段称为汤生放电。 汤生放电后期称为电晕放电。 辉光放电： 汤生放电后，气体会突然发生电击穿现象。此时，气体具备了相当的导电能力， 称这种具有一定导电能力的气体为等离子体。电流大幅度增加，放电电压却有所下降。导电粒 子大量增加，能量转移也足够大，放电气体会发生明显的辉光。电流不断增大，辉光区扩大到 整个放电长度上，电压有所回升，辉光的亮度不断提高，叫异常辉光放电，可提供面积大、分 布均匀的等离子体。 弧光放电： 电压大幅下降，电流大幅增加，产生弧光放电，电弧放电斑点，阴极局部温度 大幅升高，阴极自身会发生热蒸发。 6.2.2 溅射沉积装置 直流溅射 直流溅射又称阴极溅射或二极溅射，适用于导电性较好各类合金薄膜。 在对系统抽真空后， 充入一定压力的惰性气体， 如氩气。 在正负电极间外加电压的作用下， 电极间的气体原子将被大量电离，产生氩离子和可以独立运动的电子，电子在电场作用下飞向 阳极，氩离子则在电场作用下加速飞向阴极 — 靶材料，高速撞击靶材料，使大量的靶材料表面 原子获得相当高的能量而脱离靶材料的束缚飞向衬底。 射频溅射 使用直流溅射方法可以很方便地溅射沉积各类合金薄膜，但这一方法的前提之一是靶材应 具有较好的导电性，要用直流溅射方法溅射导电性较差的非金属靶材，就需要大幅度地提高直 流溅射电源的电压，以弥补靶材导电性不足引起的电压降。 不得用于商业用途 仅供个人参考 射频 溅射是适用于各种 金属和非金属 材料的一 种溅射沉积方 法 。两极 间接上射 频 （5~30MHz ，国际上多采用美国联邦通讯委员会（ FCC ）建议的 13.56MHz ）电源后，两极 间等离子体中不断振荡运动的电子从高频电场中获得足够的能量，并更有效地与气体分子发生 碰撞，并使后者电离，产生大量的离子和电子，此时不再需要在高压下（ 10Pa左右）产生二次 电子来维持放电过程，沉积速率也因此时气体散射少而较二极溅射为高。 磁控溅射 相对于蒸发沉积来说，一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一，溅射方法沉积薄膜的沉 积速度较低；第二，溅射所需的工作气压较高，电子的平均自由程较短，放电现象不易维持。 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。因而，磁控溅射技术作为一 种沉积速度较高，工作气体压力较低的溅射技术具有其独特的优越性。 磁控溅射的特点 （1）工作气压低，沉积速率高，且降低