《原子层沉积技术》ppt课件教案.ppt

Company Logo LOGO Company Logo Add the author and the accompanying title 原子层沉积技术 原子层沉积简介 原子层沉积的基本原则 原子层沉积技术的特点 原子层沉积的前驱体、材料及过程 主要内容 原子层沉积技术的原理 原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)又称原子层外延(atomic layer epitaxy)，原子层沉积是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相沉积薄膜的方法，它可以实现将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面上。 背景：ALD最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。到了20世纪90年代中期，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的精细度不断增加，这样所使用材料的厚度降低值几个纳米数量级。因此原子层沉积技术的优势就体现出来。 原子层沉积简介 原子层沉积技术的原理 前驱体:两种或者两种以上，各含所需沉积薄膜的元素， 交替吸附在基片表面，每次只有一种前驱体，彼此独立。每种前驱体使基片表面饱和形成一单分子层。 中洗气体:冲去表面吸附后多余的前驱体一一保证每一脉冲在基片表面形成一单分子层;使前驱体彼此在气中目不反应。一般是惰性气体， 如Ar气、N2等。 时间:1 秒一几秒， 基于反应设备和过程的设计 温度:通常是200-400度 沉积速率:一般1 埃/周期 原子层沉积简介 原子层沉积技术的原理 通过交替的饱和性的表面反应实现薄膜的自限性生长 原子层沉积简介 在氧化物生长方面存在普遍流行并被广泛接受的生长机理 羟基及配位不饱和表面离子为金属前躯体的有效反应位点 原子层沉积技术的原理 原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但是，在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子，因此也称为单原子层沉积。 原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。 原子层沉积简介 原子层沉积通过在反应区独自引进具有高反应活性的前驱体， 这些前驱体各含所沉积薄膜的元素， 这种方式使不受控制的气相反应得以避免。——均匀、 规整， 可控。 这种机理同时也使薄膜生长的过程除了前驱体的反应活性及温度敏感外， 对其他参数并不敏感， 如气压等。 原子层沉积的基本原则 原子层沉积周期 一般的沉积速率是1 埃/Cycle, 有时基片表面没有形成单分子层大都是因为前驱体化合物基团的阴影效应； 通过控制周期数达到精确控制薄膜生长的厚度， 通常薄膜厚度从几个纳米到几个微米。 原子层沉积的基本原则 原子层沉积技术的优势 精确的膜厚控制 : 由沉积的循环次数决定 无需精确控制每次反应的反应物通量 超级的薄膜均匀性及同质性 大面积沉积及批量生产能力 致密, 连续, 均匀且无孔洞缺陷的薄膜 高的可重复性及简单直接的扩产工艺 原子级的成分控制 原子层沉积技术的特点 原子层沉积技术的优势 前驱体是饱和化学吸附,保证生成大面积均匀性的薄膜 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜,作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层 可轻易通行掺杂和界面修正 可以沉积多组份纳米薄片和混合氧化物 薄膜生长可在低温(室温~400℃)下进行 固有的沉积均匀性,易子缩放,可直接按比例放大 可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度,形成达到原子层厚度精度的薄膜 对尘埃相对不敏感,薄膜可在尘埃颗粒下生长 可广泛适用子各种形状的基底 不需要控制反应流量的均一性。 原子层沉积技术的特点 原子层沉积技术发展需要解决的问题 和溅射,蒸发相比,ALD沉积的速率较低 100nm/h的常见沉积速率 某些沉积过程,前驱体会引入杂质 杂质含量~0.1at.% 对于某些材料,目前缺乏有效的沉积工艺 Si,Ge,SiO2,某些金属、金属硅化物、多组份氧化物超导体、铁电材料和硫化物等 某些沉积过程偏离 ”理想ALD沉积生长” 存在孵化时间,非真正自限生长艺 原子层沉积技术的特点 各种薄膜沉积方法比较 原子层沉积技术的特点 反应的表面饱和性及 “ ALD window ” 如反应具有表面饱和性，前驱体的脉冲长度(脉冲剂量)对生长速率没有影响，即表面所有位点均被吸附的前驱体分子占据。 不同的工艺