2010-膜离子通道总复习汇总.docxVIP

2010总复习 基本定义和概念： 欧姆定律：I = G X (E — Erev)；膜电势=膜内一膜外；电流方向规定从胞内流向胞外为 正；膜等效电路； 离子选择性.Erev= RT/ZF*ln(P A[A]o/PB[B]i) Erev= RT/F*ln( ( Pk[K]o+ PNa[Na]o+Pci[Cl]i) / (PK[K]i+ PNa[Na]i+Pci[Cl]o)) 细胞的电路模型 动作电位产生原因：Na/Ca的内流，K的外流产生动作电位 1.动作电位产生于Na通透性的增加： 电击后，膜电位首先从 Vrest增加并超过0 mV达到最大值(叫去极化)之 后开始下降至Vrest或更低时叫复极化或超极化。 AP: All-or-none;有阈值(去极化 10-15 mV); 动作电位是一种脉冲式的电信号(常见于CNS中)。见图。+.35-jAction Potential (1)o —D^p^larinlion—-JRiepplariEafclCm 动作电位是一种脉冲式的电信号(常见于 CNS中)。见图。 +.35-j Action Potential (1) o — D^p^larinlion— -JRiepplariEafclCm Threanold -55- HyperpcHBrlzatloii* Actloiii potenllfil Gsiwrertor pctefiliB