半导体物理课件3第四章.pptx

;第四章 半导体的导电性;半导体导电的微观机理;本征半导体 在0K时，没有导电能力； 在常温下，本征激发产生的导带电子、价带空穴数量较少，导电能力较差。 杂质半导体 在常温下，杂质产生电离。施主杂质电离产生电子，使导带部分填充；受主杂质电离产生空穴，使价带部分填充。 杂质半导体的导电能力与掺杂浓度和杂质的电离程度相关。;半导体导电的宏观电流——欧姆定律的微分形式;电流密度;;第四章 半导体的导电性;漂移运动，迁移率与电导率;; 理想的完整晶体里的电子处在严格的周期性势场中，如果没有其他因素的作用，其运动状态保持不变（用波矢K 标志）。但实际晶体中存在的各种晶格缺陷和晶格原子振动会在理想的周期性势场上附加一个势场，它可以改变载流子的状态。这种势场引起的载流子状态的改变就是载流子散射。原子振动、晶格缺陷等引起的载流子散射，也常被称为它们和载流子的碰撞。;电离杂质散射 半导体中的电离杂质形成正、负电中心，对载流子有吸引或排斥作用，从而引起载流子散射。;电离杂质散射几率; 半导体晶体中原子的振动是引起载流子被散射的主要原因之一。 晶格振动散射归结为各种格波对载流子的散射。根据准动量守恒，引起电子散射的格波的波长必须与电子的波长有相同的数量级。在能带具有单一极值的半导体中起主要作用的是长波，并且只有纵波在散射中起主要作用。;晶格原子振动;; 电子与声子的碰撞遵循两大守恒法则 准动量守恒 ;声学波散射 长纵声学波——晶体的体应变——原子排列疏密相间变化 （原子间距变化）——能带起伏——附加势（形变势）—— 对载流子散射 在硅、锗等非极性半导体中，纵声学波散射起重要作用. 对于球形等能面的半导体，具体理论分析所得到的纵声学波的散射几率为：;光学波散射（原胞中原子的相对运动） 极性化合物半导体(离子晶体）——不同极性离子振动位相相反——正离子密区与负离子疏区相合，负离子密区和正离子疏区相结合——半导体极化（半个波长带正电，半个波长带负电）——极化场对载流子有散射作用。 通常把这种纵光学波散射称为极性光学波散射。;光学波对载流子的散射几率;当长声学波和长光学波两种散射作用同时存在时，晶格振动对载流子的总散射率应该是两种散射几率之和，即总的散射几率为：;其它的散射机构 ①极低温度,重掺杂的情况下，中性杂质的散射很重要，;第四章 半导体的导电性;; 当一个小电场E施加于半导体时，每一个电子会从电场上受到一个-qE的作用力，且在各次碰撞之间，沿着电场的反向被加速。因此，一个额外的速度成分将再加至热运动的电子上，此额外的速度成分称为漂移速度(drift velocity);最重要的两种散射机制：;;;平均自由时间与散射几率的关系 在晶体中,载流子频繁地被散射,每秒大约可以发生1012 ~ 1013次。 ⒈散射几率 ①单位时间内,每个载流子被散射的次数; ②单位时间内,被散射的载流子数占总载流 子数的比例。;⒉平均自由时间 自由时间：载流子在电场中做漂移运动时，连续两次散射之间的时间才做加速运动，这段时间为自由时间。 载流子有一定的散射几率，并不表示它们在相继两次散射之间所经历的时间是固定的；相反这个时间却是有长有短。 平均自由时间：指相继两次碰撞之间平均所经历的时间。 ; 设有N个速度为ν的载流子，在t=0时，刚刚遭到一次散射。在t时刻，载流子中有N个尚未遭到碰撞，则在t到t+Δt之间，遭碰撞的载流子数为：;N0为t=0时未遭散射的载流子数。利用这个解，在t到t+dt时间内遭碰撞的载流子数为：;即：平均自由时间的数值等于散射几率的倒数。; ; 在t---t+dt个时间内遭散射的电子数为; 迁移率是表示单位电场的作用下，载流子所获得的漂移速度的绝对值，它是描述载流子在电场中漂移运动难易程度的物理量．; 各类材料的电导率：;多能谷情况下的电导率 对于等能面为球形的半导体，上面的讨论已经表明，电流密度和电场的方向是一致的,电导率是标量。但是，对于导带有几个对称的能谷的半导体(如硅和锗)，在每一个能谷中电子的电导率是张量,在计入各个能谷中电子总的贡献时，电导率才是标量 。 ;硅中导带的六个能谷和它们的主轴方向;如果用μl和μt分别代表纵向迁移率和横向迁移率,则可得出:; 在同一个对称轴上的两个能谷,它们的能量椭球主轴方向是一致的,可以作为一组来考虑.若用n表示电子浓度,则每组能谷的电子浓度是n/3.总的电流密度应是三组能谷电子电流密度之和,因此;则有;迁移率与杂质浓度和温度的关系 ;ⅰ 掺