微机原理课件-第5章n幻灯片.pptVIP

一、存储器的分类;半导体存储器分类;5.1.3 存储器芯片的主要技术指标;3、存储周期TC 连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。存储器在完成上一次操作后不能马上启动下一次存储器操作，需要有一定的延迟时间。所以存储周期大于存取时间。 采用MOS工艺的存储器，存取周期为几十到几百ns以下，双极型RAM存取周期最快可达10ns以下。 4、可靠性 故障间隔平均时间MTBF约为5×106 ~ 1×108 5、功耗 低功耗器件可提高可靠性；;5.2.1、静态随机存储器SRAM;6264存储芯片; tw ;SRAM 6264 读操作时序图 ;根据地址线的根数，SRAM芯片分为： 根据数据线的根数，可以判断芯片中一个存储单元能保存多少位二进制信息；;3. SRAM芯片的应用;地址译码的方法;;全地址译码方式;全地址译码方式;部分地址译码方式 仅仅使用系统地址总线的一部分，通常是使用高位地址总线的一部分进行译码输出作为片选信号，而低位地址信号线与存储芯片的地址线一 一相连。 部分地址译码方式使地址出现重叠区； ;部分地址译码例;8088系统 BUS;部分地址译码又分为：;8088系统 BUS;例5-1 用存储器芯片SRAM6116构成一个4KB的存储系统，要求其地址范围在78000H~78FFFH之间； ;8088系统 BUS;单管动态存储元;典型芯片2164A;X地址译码