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霍尔系数和电阻率的测量
把通有电流的半导体置于磁场中 ,如果电流方向与磁场垂直 ,则在垂直于电流和磁场
的方向会产生一附加的横向电场 , 这个现象称为霍尔效应 。 随着半导体物理学的发展 , 霍
尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一 。通过实验测量半导体材料
的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型 、载流子浓度 、载流子迁移率等主要参数 。
若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系 ,还可以求出材料的杂质电离能和材料的禁
带宽度 。
一 、 实验目的
1. 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识 ;
2. 学习用 对称测量法“ ”消除副效应的影响 ,测量并绘制试样的 V - I 和 V - I 曲线 ;
H S H M
3. 确定试样的导电类型 、 载流子浓度以及迁移率 。
二 、 实验原理
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转 。当带
电粒子 (电子和空穴 )被约束在固体材料中 , 这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向
上产生正负电荷的积累 ,从而形成附加的横向电场 , 即霍尔电场 。
对于图 2.1 (a)所示的 N 型半导体试样 , 若在 X 方向的电极 D 、E 上通以电流 IS,在 Z 方
向加磁场 B,试样中载流子 (电子 )将受洛仑兹力 :
F ev B
g
(2.1 )
其中 ,e 为载流子 (电子 ) 电量 , v 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率 ,B 为磁感
Y
应强度 。
X
A’ C’ A ’ C ’
l l
Z
参考 .资料
+ + + + + + + - - - - - - - - -
d d
FE FE
IS v IS v
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